ChaMP332 是東京精密（ACCRETECH）支援 Φ300mm 晶圓的 CMP 設備，目標是同時滿足先進元件所需的製程性能與量產工廠的要求。
核心技術是氣浮式研磨頭「Sylphide」。以氣膜均勻加壓晶圓，進行以晶圓表面為基準的研磨。加壓使用與氣膜分離的氣囊，因此在低壓區域也能維持控制性與穩定性。也可選配追加分區控制功能。
也重視維護性，研磨頭的拆卸約 5 秒、安裝約 10 秒即可完成。系列中另有 200mm 的 ChaMP232 與小型機 ChaMP211。
ChaMP332的特點與規格
東京精密（ACCRETECH）・氧化物 CMP 設備
東京精密（ACCRETECH）支援 300mm 晶圓的 CMP 設備。以氣浮式研磨頭「Sylphide」進行以表面為基準的研磨，確保低壓區域的控制性。
產品概要
主要規格
| 適用晶圓尺寸 | 300 mm |
|---|---|
| 研磨頭 | 氣浮式研磨頭「Sylphide」 |
| 加壓方式 | 以氣膜均勻加壓（以表面為基準的研磨） |
| 系列組成 | ChaMP332（300 mm）／ChaMP232（200 mm）／ChaMP211（小型機） |
| 主要用途 | STI・層間介電層的平坦化 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
以氣浮式研磨頭「Sylphide」進行以表面為基準的研磨
以氣囊加壓，低壓區域也能穩定控制
分區控制功能（選配）
研磨頭拆裝約 5 秒／約 10 秒
主要用途
- STI・層間介電層的平坦化
- 先進元件的 300mm 量產線
製造商
東京精密（ACCRETECH）（總部：日本）