Reflexion LK Prime CMP 是應用材料的 300mm 用 CMP（化學機械研磨）系統。依序排列4片研磨墊、6個研磨頭、8個清洗腔體與2個乾燥腔體，針對2步驟的 CMP 進行最佳化。
研磨・清洗模組數為 14，比前代機型 Reflexion LK CMP 的 7 倍增。加上晶圓傳送的最佳化，據廠商資料，在許多用途中產能最高可達2倍。
各研磨・清洗站可獨立使用，因此可選擇依序、平行或批次任一種處理。例如 3D NAND 的厚膜與大段差需要長時間穩定的研磨，將其分配到多個研磨平台，以連續的短時間研磨進行，即可使平坦化穩定並減少缺陷。