最後更新:2026年10月23日異物・污染分析設備

PHI nanoTOF 3+的特點與規格

ULVAC-PHI・異物・污染分析設備

導入在 XPS 領域累積之全自動分析技術的飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)。從試片傳送到量測皆可自動進行。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

PHI nanoTOF 3+ 是 ULVAC-PHI 的飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)。以離子束照射試片表面,量測飛出之二次離子的質量,以高靈敏度取得表面的元素與分子資訊。用於半導體的表面汙染與微小異物分析。

以三重聚焦型 TRIFT 靜電分析器,同時實現高質量解析度與高檢測靈敏度。空間解析度在高空間解析度模式下為 50nm。選配也支援串聯質譜分析(MS/MS),可解析分子結構。

以同時使用脈衝化低能量電子與氬離子的專利電荷中和技術,不需針對各試片調整即可分析絕緣物。沿用在 XPS 設備上已有實績的自動試片傳送機構,可無人進行多個絕緣試片的光譜量測與縱深分析。也可用 1 支離子槍完成從 FIB 功能的截面製作到 TOF 分析。

主要規格

分析手法TOF-SIMS(飛行時間二次離子質譜分析)
分析對象表面的有機・無機汙染(微區)
特點空間解析度 50 nm(高空間解析度模式)・全自動分析
主要用途半導體・電池材料的表面汙染・成分分析

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以 TRIFT 分析器兼顧高質量解析度與高靈敏度
空間解析度 50nm(高空間解析度模式)
脈衝電子+氬離子的自動電荷中和
以自動試片傳送進行無人量測,FIB 截面製作

主要用途

  • 晶圓表面的汙染分析
  • 微小異物・絕緣物的表面分析、縱深分析

製造商

ULVAC-PHI(總部:日本)

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資料來源

  1. ULVAC-PHI 官方產品頁面:PHI nanoTOF 3