FAaST Digital SPV的特點與規格

FAaST Digital SPV 是 Onto Innovation 對矽中汙染進行晶圓全面成像的設備。非接觸且不需製備試片，量測快速。

可在數分鐘內製作擴散長度與鐵（Fe）濃度的高解析度分布圖，在管理達 E7 cm⁻³ 範圍的 Fe 汙染上具備業界標準的精度與靈敏度。

金屬汙染會對積體電路中重要的閘極氧化膜完整性造成不良影響。在高溫製程中，矽晶圓中的汙染會在 Si／絕緣膜界面析出或偏析到絕緣膜中，成為元件早期失效或良率下降的原因。隨著微縮，汙染的容許量也越來越小。