COMPANY DATABASE
コーニング・トロペル（Corning Tropel）
Corning傘下の精密光学計測メーカー。ウェハ平坦度測定・フォトマスク検査用の干渉計・精密光学システムを半導体業界向けに供給する。
当サイトでの位置づけ
Semirai の計測装置カテゴリでは、Corning傘下の精密光学計測メーカーとして、ウェハ平坦度・フォトマスク検査用光学系を供給する立場にあります。
企業の強み
精密干渉計測技術に強み
ウェハ平坦度測定でグローバルな導入実績
Corningの光学材料技術を活用
主要製品・ソリューション
計測装置
- •ウェハ平坦度測定器
- •干渉計測システム
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、コーニング・トロペル（Corning Tropel）を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
EUV露光・リソグラフィ のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
High-NA EUVと従来EUVの違い（NA=0.55 vs NA=0.33）
EUV露光装置は現在、「従来EUV（NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ）」と「High-NA EUV（NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ）」の2世代…
ArF露光とKrF露光の違い（DUV露光装置比較）
ArFとKrFはどちらもDUV（深紫外線）エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF（フッ化アルゴン）は19…
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界（回折限界）があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。…
ナノインプリントとEUVの違い（次世代リソグラフィ比較）
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い（フォトレジストの比較）
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け（マスクの透過部がパターンとして残る逆）、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。