COMPANY DATABASE
カール・ツァイスSMT（Carl Zeiss SMT）
ASMLの露光装置向け投影光学系・照明光学系を独占供給するドイツの精密光学メーカー。EUV反射光学系の超高精度研磨・多層膜コーティング技術で最先端リソグラフィを支える。
当サイトでの位置づけ
Semirai の露光装置カテゴリでは、ASMLのEUV/DUV露光装置に光学系を独占供給する重要パートナーとして位置づけられます。
企業の強み
ASML露光装置向け光学系をほぼ独占供給
EUV反射光学系の超高精度加工技術
半導体検査用光学部品も展開
主要製品・ソリューション
露光装置光学系
- •EUV投影光学系
- •DUV投影レンズ
- •マスク検査用光学系
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、カール・ツァイスSMT（Carl Zeiss SMT）を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
EUV露光・リソグラフィ のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
High-NA EUVと従来EUVの違い（NA=0.55 vs NA=0.33）
EUV露光装置は現在、「従来EUV（NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ）」と「High-NA EUV（NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ）」の2世代…
ArF露光とKrF露光の違い（DUV露光装置比較）
ArFとKrFはどちらもDUV（深紫外線）エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF（フッ化アルゴン）は19…
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界（回折限界）があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。…
ナノインプリントとEUVの違い（次世代リソグラフィ比較）
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い（フォトレジストの比較）
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け（マスクの透過部がパターンとして残る逆）、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。