COMPANY DATABASE

パナソニック

総合電機メーカー。パワー半導体・電子部品事業を通じて、車載・産業機器向けデバイスを幅広く展開する。半導体製造装置事業(PSFS)も保有する。

🌐 日本IDM公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai のデバイスメーカーでは、パワーデバイス・電子部品を手掛ける総合電機大手として位置づけられます。

企業の強み

パワー半導体・電子部品を幅広く展開
車載・産業機器向けに強み
製造装置事業も保有する総合力

主要製品・ソリューション

半導体デバイス

  • パワー半導体
  • 電子部品

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、パナソニックを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

パワー半導体とは →集積回路とは →

同じトピックの用語

SiC・GaN・RF半導体製造 のトピックで関連する用語です。

化合物半導体とは →エピタキシー(エピ成長)とは →イオン注入とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →RF半導体(高周波半導体)とは →

同じトピックの企業

Veeco Instruments米国日新イオン機器日本Plasma-Therm Japan日本Applied Materials米国Infineon TechnologiesドイツSTMicroelectronics(ST)CH

比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
パナソニック 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る