COMPANY DATABASE

Plasma-Therm Japan

化合物半導体・MEMS・先端パッケージング向けのドライエッチング・PECVD装置を専門とする米 Plasma-Therm の日本法人。R&D および中小量産向けで存在感。

🌐 日本装置メーカー公式サイト

当サイトでの位置づけ

化合物半導体・MEMS・先端パッケージング向けドライエッチングカテゴリで、中小量産・R&D 向けの専用プラットフォームを提供する企業として参照されます。

企業の強み

化合物半導体(GaN・SiC)・MEMS 向けドライエッチング専門
R&D および中小量産プラットフォームに強み
先端パッケージング向けディープエッチング技術

主要製品・ソリューション

ドライエッチング装置

  • Versaline ICP
  • Versaline DSE

成膜装置

  • Versaline PECVD

関連装置カテゴリ

ドライエッチング装置
CVD装置
パワー半導体製造装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Plasma-Therm Japanを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

ドライエッチングとは →化合物半導体とは →

同じトピックの用語

SiC・GaN・RF半導体製造 のトピックで関連する用語です。

パワー半導体とは →エピタキシー(エピ成長)とは →イオン注入とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →RF半導体(高周波半導体)とは →

同じトピックの企業

Veeco Instruments米国日新イオン機器日本Applied Materials米国Infineon TechnologiesドイツSTMicroelectronics(ST)CH住友電気工業(SiC・化合物半導体)日本

比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
Plasma-Therm Japan 公式サイトへ

FOR COMPANIES

貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?

無料プランからご利用いただけます。

掲載プランを見る →
← 企業一覧に戻る