Revasum

200mm以下のウェハ向け研削（グラインダ）・CMP装置に特化した米国メーカー。SiC・GaN・サファイアなど硬脆材料の加工に強みを持つ。

米国・装置メーカー・公式サイト ↗

当サイトでの位置づけ

Semirai のウェハ研磨カテゴリでは、200mm以下およびSiC・GaN向けのグラインダ・CMP装置を供給する米国メーカーとして位置づけられます。

企業の強み

200mm以下・化合物基板向けに特化

硬脆材料（SiC・サファイア）の研削/研磨技術

グラインダとCMPの両方をラインナップ

主要製品・ソリューション

研削・研磨装置

•ウェハグラインダ
•CMPシステム

Revasumの製品

6EZ（ウェハ研磨・面取り装置）

関連装置カテゴリ

ウェハ研磨装置

ウェハ研磨・面取り装置は、スライス直後のウェハ表面を鏡面化し、エッジを整える仕上げ工程の装置群です。

メーカー 8 社バックグラインダ

バックグラインダー（Backgrinder）は、ウェハ裏面を研削して所定の厚さまで薄化（減薄）する装置です。

メーカー 4 社

半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Revasumを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

両面研磨（DSP）とは→ラッピング（遊離砥粒研磨）とは→サファイア基板とは→

同じトピックの用語

化合物基板（SiC・GaN・サファイア）のトピックで関連する用語です。

PVT法（昇華法）とは→SiCウェハ（炭化ケイ素基板）とは→GaN-on-Si（シリコン上GaN）とは→エピタキシャルウェハ（エピウェハ）とは→レーザースライシングとは→化合物半導体とは→ワイドバンドギャップ半導体とは→GaN（窒化ガリウム）とは→

同じトピックの企業

Wolfspeed米国コヒレント（Coherent Corp.）米国レゾナック（旧昭和電工）日本住友電気工業（SiC・化合物半導体）日本 SK Siltron韓国 AIXTRONドイツ

比較・違いを学ぶ

GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い

GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ…

SiCとGaN パワー半導体の違い

SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…

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