GLOSSARY

ラッピング(遊離砥粒研磨)とは

Lapping
最終更新:2026-08-25ウェハ研磨・面取り装置ウエハ製造装置

ラッピング(遊離砥粒研磨)とは?

ラッピングとは、砥粒を分散させたスラリーを定盤とウェハの間に供給し、砥粒が転がりながら削る遊離砥粒方式の平面加工です。スライス痕と厚みばらつきを取り除いて研磨工程に渡せる平坦度を作ります。表面下に数μmの加工変質層が残るため、後続のエッチングと鏡面研磨での除去が前提です。近年は固定砥粒の両面研削(DDG)への置き換えも進んでいます。

定義・解説

ラッピングとは、砥粒を分散させたスラリーを定盤とウェハの間に供給し、砥粒が転がりながら材料を削る「遊離砥粒方式」の平面加工です。スライス直後のウェハに残るソーマーク(切断痕)と厚みばらつきを取り除き、後続の研磨工程に渡せる平坦度を作るのが目的で、ウェハ製造の中間工程にあたります。

装置は、上下2枚の定盤の間にウェハを保持するキャリアを挟み、遊星歯車機構でキャリアを自転・公転させながら加圧する構造が一般的です。砥粒にはアルミナや炭化ケイ素が使われ、粒径は数μm程度です。砥粒が固定されていないため、ウェハ表面をランダムに転がりながら微小な破壊で材料を除去します。

ラッピングの利点は、平坦度を効率よく作れることと、大きな取り代を短時間で除去できることです。一方で、砥粒が押し込まれることで表面下に数μmの加工変質層(ダメージ層)が残ります。この層はそのままではデバイス特性を損なうため、後続のエッチング(ケミカルエッチング)と鏡面研磨で完全に除去する必要があります。

近年は、ラッピングの代わりに固定砥粒による両面研削(DDG:Double Disk Grinding)を使う工程も普及しています。固定砥粒方式はスラリー処理が不要で加工が速く、ダメージ層も比較的浅く抑えられるため、スライス→研削→エッチング→研磨という流れに置き換わるケースが増えています。ただし平坦度の作りやすさではラッピングにも依然として利点があります。

ラッピング・両面研磨装置の主要メーカーは、SpeedFam・Lapmaster Wolters・浜井産業などです。研磨材(砥粒・スラリー)はフジミインコーポレーテッドなどが供給し、装置・砥粒・キャリア材質の組合せが最終的な平坦度と生産性を決めます。

よくある質問(FAQ)

ラッピングとCMPは何が違うのですか?
ラッピングは砥粒が固定されていない遊離砥粒方式で、砥粒が転がりながら微小破壊で材料を削るため加工が速い反面、表面下に数μmの加工変質層が残ります。CMPは化学反応で表面を軟化させながら研磨する方式で、除去は遅いものの鏡面かつ無ダメージの表面が得られます。工程順としてはラッピングが先、CMPが仕上げです。
ラッピングの代わりに両面研削(DDG)を使う理由は何ですか?
固定砥粒方式のためスラリー処理が不要で加工が速く、加工変質層も比較的浅く抑えられるからです。スライス→研削→エッチング→研磨という流れに置き換わるケースが増えていますが、平坦度の作りやすさではラッピングにも依然として利点があります。

設備の製造メーカー

スピードファム日本

CMP(化学機械研磨)・両面研磨装置の専業メーカー。シリコンウェハの平坦化・エッジ研磨向け装置を中心に、日米で…

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Lapmaster Woltersドイツ

ラッピング・両面研磨(DSP)装置の老舗メーカー。半導体ウェハのほか、光学部品・機械部品まで幅広い精密平面加工…

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浜井産業日本

シリコンウェハ研磨・ラッピング装置を手掛ける国内装置メーカー。ウェハ平坦化工程向けの精密研磨技術を長年にわたり…

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フジミインコーポレーテッド日本

CMP(化学機械研磨)用スラリーの世界的大手メーカー。シリコンウェハ研磨から配線平坦化まで、幅広いCMPスラリ…

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Revasum米国

200mm以下のウェハ向け研削(グラインダ)・CMP装置に特化した米国メーカー。SiC・GaN・サファイアなど…

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関連カテゴリ

ウェハ研磨・面取り装置
ウエハ製造装置

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