AIXTRON

MOCVD・CVD装置の世界的リーダー。GaN LED・SiCエピタキシー・III-V族化合物半導体デバイスの量産に不可欠なエピタキシャル成長装置を提供する。

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当サイトでの位置づけ

Semirai の成膜装置カテゴリでは、GaN・SiC・GaAs など化合物半導体向け MOCVD の専業メーカーとして位置づけられ、LED・パワー・RF デバイスのエピ成長工程を担う立場にあります。

企業の強み

MOCVD装置で世界トップシェア（GaN LED・GaN HEMT）

SiC・InP・GaAsなど化合物半導体の幅広いプロセスに対応

5G・EV・AIエネルギー向けの高成長分野に強み

主要製品・ソリューション

MOCVD装置

•G10-SiC（SiCエピ）
•G5+ C（GaN LED）
•AIX G5+ WW（GaN HEMT パワー）

ALD装置

•Planetary ALCVD

AIXTRONの製品

G10-GaN（MOCVD装置）G10-SiC（化合物半導体基板製造装置（SiC/GaN））

関連装置カテゴリ

エピタキシー装置（MOCVD）

エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。

メーカー 5 社化合物半導体基板製造装置

化合物半導体基板製造装置は、SiC・GaN・GaAs・InPなどシリコン以外の半導体基板を製造・成膜する装置群です。

メーカー 6 社化合物半導体装置

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。

メーカー 9 社

半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、AIXTRONを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

MOCVDとは→エピタキシー（エピ成長）とは→化合物半導体とは→GaN（窒化ガリウム）とは→SiC（炭化シリコン）とは→サセプタとは→GaN-on-Si（シリコン上GaN）とは→サファイア基板とは→

同じトピックの用語

化合物基板（SiC・GaN・サファイア）のトピックで関連する用語です。

PVT法（昇華法）とは→SiCウェハ（炭化ケイ素基板）とは→エピタキシャルウェハ（エピウェハ）とは→レーザースライシングとは→ワイドバンドギャップ半導体とは→転位とは→積層欠陥（スタッキングフォルト）とは→重要鉱物（クリティカルミネラル）とは→

同じトピックの企業

Wolfspeed米国コヒレント（Coherent Corp.）米国レゾナック（旧昭和電工）日本住友電気工業（SiC・化合物半導体）日本 SK Siltron韓国 Veeco Instruments米国

比較・違いを学ぶ

GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い

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SiCとGaN パワー半導体の違い

SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…

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