COMPANY DATABASE
住友電気工業（SiC・化合物半導体）
電線・光ファイバを主事業に持つ住友電工の化合物半導体部門。SiCウェハ・GaAs・InP基板などパワーデバイス・光通信向けウェハを供給。
当サイトでの位置づけ
SemiraiのSiC・化合物半導体カテゴリでは、SiCウェハ・GaAsウェハ・InPウェハを供給するパワー・光デバイス向け基板材料の主要サプライヤーとして参照されます。
企業の強み
SiCウェハで国内有数のサプライヤー
GaAs・InP化合物半導体基板の長年の製造実績
電線・光ファイバと組み合わせた高周波・パワーシステムの垂直統合
主要製品・ソリューション
SiCウェハ
- •SiCエピウェハ
- •SiCバルクウェハ
化合物半導体基板
- •GaAs基板
- •InP基板
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、住友電気工業（SiC・化合物半導体）を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
SiC・GaN・RF半導体製造・化合物基板（SiC・GaN・サファイア） のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ…
SiC MOSFETとIGBTの違い（EV・パワーエレクトロニクス比較）
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ…
MOCVDとMBEの違い（化合物半導体エピタキシー比較）
MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長）はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか？
無料プランからご利用いただけます。