当サイトでの位置づけ
Semirai のウェハ製造カテゴリでは、SKグループのシリコンウェハ専業メーカーとして、メモリ向け300mmウェハとSiC基板の両輪で位置づけられます。
企業の強み
300mmウェハで世界上位のシェア
SKハイニックスを含む大口顧客への供給基盤
SiCウェハ事業への投資を拡大
主要製品・ソリューション
シリコンウェハ
- •300mmポリッシュドウェハ
- •エピタキシャルウェハ
化合物基板
- •SiCウェハ
関連装置カテゴリ
半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、SK Siltronを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
シリコンウェハ製造（結晶成長・スライス・研磨）・化合物基板（SiC・GaN・サファイア） のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
ラッピングと両面研磨（DSP）の違い
どちらもウェハの表裏を同時に加工して平坦度を作る工程ですが、狙いが違います。ラッピングはスライス痕と厚みばらつきを短時間で除去する粗加工、両面研磨（DSP）はリ…
GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ…
エピタキシャルウェハとポリッシュドウェハの違い
同じシリコンウェハでも、研磨しただけのポリッシュドウェハと、その上にエピタキシャル層を成長させたエピウェハでは、表層の素性がまったく違います。前者は「インゴット…
SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC（炭化ケイ素）とGaN（窒化ガリウム）はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
CZ法とFZ法の違い（シリコン単結晶成長の比較）
CZ法（チョクラルスキー法）は石英ルツボの融液から種結晶を引き上げて単結晶を育てる方法、FZ法（フローティングゾーン法）はルツボを使わず帯溶融で単結晶化・精製す…
300mmウェーハと200mmウェーハの違い（コスト・用途・設備の比較）
半導体製造ウェーハの直径（インチ数）はチップの製造コストと適用用途を大きく左右します。300mm（12インチ）ウェーハは先端ロジック・DRAM・NANDの大量生…
SK Siltron のご担当者様へ
このページの掲載内容を貴社で管理できます（企業ページの認領）。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。
※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る