EUV光源（EUV Source）は、EUVリソグラフィで使用される波長13.5nmの極端紫外光を発生させる装置コンポーネントです。現在の主流技術はLPP（Laser Produced Plasma：レーザー生成プラズマ）方式で、高速噴射した直径約30μmの液体スズ（Sn）微小液滴に対し、高出力CO₂レーザー（波長10.6μm）を照射してプラズマ化し、13.5nmのEUV光を発生させます。
EUV光源の主要性能指標は出力パワー（ウェハスループットに直結）と変換効率（CE：Conversion Efficiency）です。現在のHigh Volume Manufacturing（HVM）向けEUV光源（ASML NXE系スキャナー用）は出力250W以上を達成しており、High-NA EUV（ASML EXE:5000系）では500W以上が必要とされます。スズ液滴へのプレパルスレーザー照射でフラットパンケーキ状に変形させてからメインパルスを当てる「2段階照射」技術が変換効率向上に貢献しています。
EUV光源の主要メーカーはCymer（ASMLの子会社）とGigaphoton（小松製作所・ウシオ電機合弁）の2社のみです。EUV光源は非常に複雑なシステムで、スズ液滴生成器・CO₂レーザーシステム・EUV集光ミラー（マルチレイヤーミラー）・スズ廃棄物回収システムなどで構成されます。光源の高出力化・安定稼働・寿命（MBTF）向上がEUV装置の競争力を左右する重要課題です。