トランジスタ(個別半導体)メーカー5社

個別トランジスタは、信号の増幅やスイッチングを行う単体の素子で、バイポーラトランジスタや小信号MOSFETなどがあります。ICの周辺で負荷の駆動、電源のオン・オフ、レベル変換などを担い、抵抗を内蔵して部品点数を減らしたデジタルトランジスタや、複数素子を1パッケージに収めた複合品も多く使われます。1個あたりの単価は低いものの、あらゆる電子機器に大量に使われるため、小型パッケージ、安定した品質、長期にわたる安定供給が求められる製品です。

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主要特徴

信号の増幅やスイッチングを行う単体素子
バイポーラトランジスタと小信号MOSFETが中心
抵抗内蔵のデジタルトランジスタや複合品も多い
小型パッケージ・品質・長期供給が求められる

メーカー

5社の主要メーカー

ローム(ROHM)日本

パワー半導体・SiCデバイス・LED・抵抗器の総合半導体IDM。日本でSiC事業を早期に強化し、EV・産業機器向けSiC MOSFETで国際競争力を持つ。1951年京都創業で、現在はグローバルに事業展開。

SiCパワー
SCT4035KE(SiC MOSFET)SCH2080KE(SiCショットキーダイオード)
パワーIC
BD9000系(モータードライバー)BM2系(絶縁DC-DC)
LED・光デバイス
SML-D12(LED)RPI-352(フォトインタラプタ)
  • •SiC MOSFETで日本国内トップ、世界でも上位シェア
  • •抵抗器・LEDなど電子部品と半導体の一体提案
会社詳細
東芝デバイス&ストレージ日本

東芝グループの半導体IDM。パワーMOSFET・IGBT・ディスクリート、ロジック、フォトカプラなどを自社製造し、車載・産業・民生機器に供給する。

パワー/ディスクリート
パワーMOSFETIGBTダイオード/小信号デバイス
  • •パワーMOSFET・ディスクリートで高いシェア
  • •車載・産業向けの高信頼デバイス
会社詳細
onsemi(ON Semiconductor)米国

パワー半導体・CMOSイメージセンサー・SiCデバイスのIDM大手。EV・ADAS・産業・5G向けに自社ファブで製造。EV向けSiCインバーターのTesla・Ford・Volkswagen向け長期サプライヤー。

SiCパワー
M3S SiC MOSFETAECQパワーモジュール
CMOSイメージセンサー
AR0234CS(車載)AR0821CS
パワーマネジメント
NCP seriesNCV series
  • •SiC MOSFET・ダイオードでWolfspeedに次ぐシェア
  • •CMOSイメージセンサーで車載・産業向けに強み
会社詳細
Diodes Incorporated米国

小信号・汎用ディスクリート半導体(ダイオード・トランジスタ・MOSFET)と電源ICのIDM。消費家電・自動車・産業機器・通信向けに低コスト・高品質な部品を自社ファブ(アジア)で大量製造。

ダイオード
BAT54(ショットキーダイオード)BAS316(高速スイッチ)
MOSFET
DMN1019USN(小型MOSFET)
電源IC
AP3032(DC-DCコンバーター)
  • •小信号ディスクリートで世界トップクラスの製品数
  • •自動車・産業グレードへの対応強化
会社詳細
ヴィシェイ・インターテクノロジー(Vishay)米国

ダイオード・トランジスタ等のディスクリート半導体と抵抗器・コンデンサ等の受動部品を幅広く手掛けるグローバル大手メーカー。車載・産業機器向けに豊富な製品ラインナップを持つ。

半導体デバイス・受動部品
ダイオードトランジスタ抵抗器・コンデンサ
  • •ディスクリート半導体・受動部品を総合展開
  • •車載・産業機器向けに幅広い実績
会社詳細

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