Diodes Incorporated

パワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。

ダイオードは、電流を一方向にだけ流すPN接合を基本とするディスクリート半導体です。

個別トランジスタは、信号の増幅やスイッチングを行う単体の素子で、バイポーラトランジスタや小信号MOSFETなどがあります。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

ロジックプロセスは、CPU・GPU・FPGA・SoCなどの演算・制御デバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称で、高速トランジスタスイッチング・低消費電力・高集積度を最優先に設計されます。