化合物高周波デバイス（GaAs・GaN）メーカー5社
化合物高周波デバイスは、GaAs（ガリウムヒ素）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体で作る高周波用トランジスタとICです。電子移動度が高いGaAsはスマートフォンのパワーアンプやスイッチに、高耐圧・高出力のGaN HEMTは携帯基地局の送信アンプ、レーダー、衛星通信に使われます。シリコンでは得にくい高周波・高出力特性が必要な部分を受け持ち、専用の化合物半導体ラインを持つメーカーが製造しています。5G基地局と防衛用レーダーがGaNの需要を押し上げています。
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主要特徴
GaAs・GaNなど化合物半導体で作る高周波素子
GaAsはスマートフォンのPA・スイッチに使われる
GaN HEMTは基地局・レーダー・衛星通信の高出力用途
専用の化合物半導体ラインを持つメーカーが製造
メーカー
5社の主要メーカー
MACOM Technology Solutions米国
RF・マイクロ波・ミリ波帯のGaN・GaAs・InP半導体デバイスの専業IDM。5G基地局・データセンター光通信・防衛・衛星通信向けのパワーアンプ・MMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）を自社ファブで製造。
GaN HEMT/PA
MAAP-015036（GaN PA）MAGX-001214（GaN HEMT）
InP/GaAs
MAAM-011247（低ノイズアンプ）
- •5G基地局向けGaN RF増幅器で有力サプライヤー
- •防衛・航空宇宙の厳格要件に対応
Qorvo米国
米国の高周波（RF）・パワー半導体メーカー。スマホ・基地局・防衛向けのRFフロントエンドやGaNパワーアンプ、フィルターを手掛ける。
RF/パワー
RFフロントエンドモジュールGaNパワーアンプBAW/SAWフィルター
- •RFフロントエンドとGaNパワーに強み
- •5G・基地局・防衛/航空の高出力用途
三菱電機（半導体）日本
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体（パワーモジュール）で世界トップクラス。鉄道・EV・産業・家電向けにIGBT/SiCモジュールや高周波デバイスを供給する。
パワーモジュール
IGBTモジュールSiCパワーモジュール高周波/光デバイス
- •パワーモジュールで世界トップクラス
- •鉄道・EV・産業の大電力用途に強み
NXP Semiconductorsオランダ
フィリップス半導体部門が独立したオランダのIDM。車載通信IC（CAN/LIN/Ethernet）・セキュアMCU・RFID・レーダーSoCで世界トップシェア。
車載IC
S32マイコンレーダーSoCCAN/LIN IC
セキュリティIC
セキュアエレメントSE050
RFID/NFC
MIFAREUCODE
- •車載通信IC（S32シリーズ）で業界首位
- •セキュアエレメント・RFID/NFCで世界最大シェア
Skyworks Solutions米国
米国の高周波（RF）半導体大手。スマートフォンやIoT向けのパワーアンプ・フィルター・RFフロントエンドモジュールを供給し、5G/Wi-Fiの通信を支える。
RF半導体
パワーアンプRFフロントエンドモジュールフィルター/スイッチ
- •RFフロントエンドで世界有数のシェア
- •GaAs・フィルター技術を統合したモジュール力