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RFフロントエンドは、アンテナと通信用のベースバンドICの間に位置し、無線信号の送受信を担う回路部品群です。

SAW・BAWフィルタは、圧電材料の上を伝わる弾性波（音響波）を利用して、必要な周波数の無線信号だけを通す高周波フィルタです。

化合物高周波デバイスは、GaAs（ガリウムヒ素）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体で作る高周波用トランジスタとICです。

RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。