MACOM Technology Solutions

RF・マイクロ波・ミリ波帯のGaN・GaAs・InP半導体デバイスの専業IDM。5G基地局・データセンター光通信・防衛・衛星通信向けのパワーアンプ・MMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）を自社ファブで製造。

米国・IDM・公式サイト ↗

当サイトでの位置づけ

Semirai の RF・化合物半導体の文脈では、GaN を用いた高周波増幅器を手がける企業として、5G 基地局や防衛・航空宇宙向けの RF フロントエンドを担う立場にあります。

企業の強み

5G基地局向けGaN RF増幅器で有力サプライヤー

防衛・航空宇宙の厳格要件に対応

GaN-on-Si・GaN-on-SiCの両技術を保有

主要製品・ソリューション

GaN HEMT/PA

•MAAP-015036（GaN PA）
•MAGX-001214（GaN HEMT）

InP/GaAs

•MAAM-011247（低ノイズアンプ）

製品分野・業態

IDM（垂直統合型）化合物高周波デバイス（GaAs・GaN）

化合物高周波デバイスは、GaAs（ガリウムヒ素）やGaN（窒化ガリウム）などの化合物半導体で作る高周波用トランジスタとICです。

メーカー 5 社

関連装置カテゴリ

RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。

メーカー 3 社化合物半導体

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。

メーカー 9 社

半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、MACOM Technology Solutionsを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

GaN（窒化ガリウム）とは→RF半導体（高周波半導体）とは→化合物半導体とは→SiC（炭化シリコン）とは→

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