SiCウェハメーカー5社

SiCウェハは、シリコンより約3倍広いバンドギャップを持つ炭化ケイ素の単結晶基板です。高い絶縁破壊電界により同じ耐圧をより薄い層で実現できるため、オン抵抗が下がり、EVのインバータや充電器で損失を大幅に削減できます。結晶成長は昇華法（PVT法）が主流で、シリコンのように融液から引き上げられないため成長速度が遅く、基板コストが高いことが普及の制約でした。基底面転位（BPD）はバイポーラ劣化の原因となるため、欠陥密度の低減が品質の中心的な課題です。

メーカー 5 社関連カテゴリ 7 件

主要特徴

シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素の単結晶基板

高い絶縁破壊電界により薄い層で高耐圧を実現しオン抵抗を下げる

昇華法（PVT法）で成長させるため速度が遅く基板コストが高い

基底面転位（BPD）の低減が品質上の中心課題

スペック比較

複数の製品が掲載している項目を並べています。

項目	Wolfspeed200mm SiC 単結晶基板	コヒレント（Coherent Corp.）150／200mm SiC 基板	レゾナック（旧昭和電工）SiC エピタキシャルウェハ
材料	4H-SiC（n 型導電性・セミインシュレーティング）	4H-SiC	4H-SiC エピタキシャル層
口径	200 mm（8 インチ）／150 mm	150／200 mm	150 mm 中心（200 mm 対応を推進）
管理指標	マイクロパイプ密度・転位密度・反り	欠陥密度・オフ角精度・表面粗さ	キラー欠陥密度・厚み／濃度均一性
主要用途	車載 SiC MOSFET・産業用インバータ	パワーデバイス・RF デバイス	車載 SiC MOSFET・SBD
結晶育成	昇華法（PVT）	昇華法（PVT）	—

1製品だけが掲載している項目（1件）

エピ層厚みの目安	—	—	5 ～ 30 µm（耐圧に応じる）

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

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Wolfspeed

200mm SiC 単結晶基板

SiC 基板の先行メーカー。150 mm から 200 mm への口径拡大を進めており、口径が上がると 1 枚あたりの取れ数が大きく増える。

材料	4H-SiC（n 型導電性・セミインシュレーティング）
口径	200 mm（8 インチ）／150 mm
結晶育成	昇華法（PVT）
管理指標	マイクロパイプ密度・転位密度・反り
主要用途	車載 SiC MOSFET・産業用インバータ

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コヒレント（Coherent Corp.）

150／200mm SiC 基板

旧 II-VI。SiC 基板とエピ層を手がけ、単結晶育成からウェハ加工までを内製する。光学部品事業の結晶成長技術が土台にある。

材料	4H-SiC
口径	150／200 mm
結晶育成	昇華法（PVT）
管理指標	欠陥密度・オフ角精度・表面粗さ
主要用途	パワーデバイス・RF デバイス

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レゾナック（旧昭和電工）

SiC エピタキシャルウェハ

SiC エピ層の供給で高いシェアを持つ。基板メーカーから調達した基板にエピ成長を施す形と、一貫供給の両方がある。

材料	4H-SiC エピタキシャル層
口径	150 mm 中心（200 mm 対応を推進）
エピ層厚みの目安	5 ～ 30 µm（耐圧に応じる）
管理指標	キラー欠陥密度・厚み／濃度均一性
主要用途	車載 SiC MOSFET・SBD

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。