Verdict結論
兩者都是能溶解矽氧化膜的氫氟酸系藥液，但DHF只是以水稀釋氫氟酸的溶液，BHF則是在氫氟酸中加入氟化銨的緩衝溶液。DHF主要用於清洗，在短時間內去除晶圓表面薄的原生氧化層與表面金屬。BHF藉由緩衝作用使蝕刻速率長時間保持穩定，光阻也不易剝落，因此用於將厚氧化膜精確削去固定量的圖形加工。
主要差異
| 比較項目 | DHF（稀氫氟酸） | BHF（緩衝氫氟酸） |
|---|---|---|
| 組成 | 以超純水稀釋氫氟酸（HF） | 氫氟酸＋氟化銨（NH₄F） |
| 濃度範例 | HF約0.5～數%（1:100、1:50等） | NH₄F:HF＝6:1、10:1等 |
| 主要用途 | 清洗（去除原生氧化層・表面金屬） | 氧化膜的圖形蝕刻 |
| 去除的氧化膜厚度 | 數nm左右的薄膜 | 數十nm～μm的厚膜 |
| 蝕刻速率的穩定性 | 隨使用容易變化 | 因緩衝作用長時間保持穩定 |
| 對光阻的影響 | 處理時間短，不太會造成問題 | 酸性溫和，光阻不易剝落 |
| 處理後的矽表面 | 氫終端，呈疏水性 | 去除氧化膜的部分為氫終端 |
DHF擔任清洗的收尾角色
DHF在RCA清洗等清洗流程中，用來去除晶圓表面形成的薄原生氧化層，以及被包覆在氧化膜中的金屬。處理時間短，約數十秒～數分鐘，處理後的矽表面以氫終端，呈現排斥水的狀態。若在閘極氧化或磊晶成長之前進行，就能從潔淨的矽表面開始下一道製程；但時間一久又會再次生成氧化層，因此要管理到下一道製程的等待時間。
BHF擔任氧化膜的加工角色
BHF用於以光阻圖形為遮罩，將厚氧化膜溶解到預定深度的濕式蝕刻。氟化銨作為緩衝劑，補充被消耗的氟成分，因此即使處理大量晶圓，蝕刻速率也幾乎維持不變，能精確削去目標量。由於酸性溫和，光阻不易剝落，且幾乎不溶解矽與氮化膜，因此可以保留底層、只去除氧化膜。
與乾式蝕刻的區分使用
微細圖形的氧化膜加工，目前幾乎都以乾式蝕刻進行，因為濕式蝕刻在橫向也會同樣溶解，無法維持微細尺寸。另一方面，在不希望底層受到電漿損傷、需要大範圍溶解去除犧牲層，或希望以變異小的方式批次處理時，BHF等濕式蝕刻至今仍在使用。DHF作為清洗製程，即使在先進產品中也不可或缺。
常見問題
DHF與BHF可以用於相同目的嗎？
兩者都能溶解氧化膜，但擅長的工作不同。DHF適合在短時間內去除薄原生氧化層的清洗，BHF則適合在保持穩定速率的同時，將厚氧化膜削去固定量的加工。用錯了，就會造成過度蝕刻或變異。
BOE與BHF是同一種東西嗎？
是同一種藥液。BOE是Buffered Oxide Etch（緩衝氧化物蝕刻液）的縮寫，指在氫氟酸中加入氟化銨的溶液。在日本多稱為BHF或緩衝氫氟酸。