DHF 清洗（Dilute HF Cleaning：稀氫氟酸清洗）是使用以超純水稀釋氫氟酸（HF）的清洗液（一般 HF 濃度為 0.1～1%），選擇性去除氧化矽層（SiO₂）或自然氧化層的清洗製程。在閘極氧化層形成前、磊晶成長前、接觸窗形成前等，為了使矽表面成為潔淨的氫終端狀態（H-Si 鍵），在半導體製造的各個環節都會使用。氧化矽層的蝕刻速率約為 1nm／秒（1% HF，室溫），是控制性高的清洗方法。
DHF 清洗的反應原理是以氫氟酸選擇性蝕刻 SiO₂（SiO₂ + 6HF → H₂SiF₆ + 2H₂O）。純矽（Si）對氫氟酸的蝕刻速率低，具有選擇性，因此可在不去除閘極氧化層的情況下，去除其上的自然氧化層與微粒。DHF 處理後的矽表面成為 Si-H 鍵（氫終端），形成可暫時抑制在空氣中自然氧化層再成長的「疏水性表面」。
DHF 清洗在 EUV 製程中的重要性日益提高。EUV 曝光所用的 Sn（錫）系電漿光源會造成 Sn 沉積附著於光罩與晶圓表面，去除 Sn 時會使用 DHF 的稀釋變化型。此外，EUV 後硬遮罩（TiN・Si 系）的選擇性去除也運用氫氟酸系清洗，結合 DHF 與 H₂O₂ 的 FPM（Fluoride Peroxide Mixture）清洗研究也在進行中。
DHF 清洗的安全管理特別重要。氫氟酸對皮膚與黏膜的滲透性高，即使濃度低，體內的氟離子也會與鈣結合，有引發低血鈣症與心跳停止的風險。晶圓廠必備的基礎設施包括 HF 專用排氣櫃、耐 HF 聚合物內襯管路、HF 氣體洩漏感測器與專用中和設備（石灰石漿料中和槽）。廢液處理方面，以 CaF₂ 汙泥形式回收後掩埋處置，或作為螢石再利用。
DHF 清洗市場在清洗設備與高純度氫氟酸兩方面都有穩定需求。超高純度氫氟酸（金屬雜質 10ppt 以下，相當於 SEMI Grade5）由 Stella Chemifa、森田化學、Honeywell、BASF、Solvay 供應，必須穩定供應給先進晶圓廠。設備方面，SCREEN、TEL、Lam Research（SPTS）的批次式與單晶圓式清洗設備都內建 DHF 處理功能，清洗製程的整合化與自動化正在推進。