灰化（Ashing）是在蝕刻或佈植製程結束後，去除在微影製程中塗佈於晶圓上的光阻（感光性樹脂）的製程。以氧（O₂）電漿照射光阻，使屬於有機物的光阻氧化、燃燒，分解成 CO₂、H₂O 等揮發性氣體，再從腔體排出去除。又稱為「光阻剝除（Resist Stripping）」。
灰化的原理是：將 O₂（或 O₂/CF₄、N₂H₂ 等混合氣體）電漿化所產生的氧自由基（O・）與活性氧離子，與光阻（主要為酚醛樹脂、化學增幅型光阻等有機聚合物）反應，將碳骨架氧化並分解為 CO₂、H₂O。反應溫度約為150～300°C，透過調整電漿功率與溫度，將對金屬與絕緣膜的損傷降到最低。
灰化的方式有「下游灰化（遠端電漿）」與「原位灰化（in-situ）」。下游灰化將電漿產生腔體與處理腔體分開，只讓自由基（去除離子）照射晶圓，因此可降低元件損傷（電漿損傷）。去除離子佈植後的硬化光阻（改質光阻）時，高能量的原位灰化較為有效。
灰化與濕式剝除（SPM 處理：H₂SO₄+H₂O₂ 混合液）的區分使用很重要。灰化是乾式製程，環境負荷低，適合微細圖案，但對於經離子佈植而形成硬殼的光阻（表面硬化、交聯），有時無法完全去除。此時一般採用2步驟方式：灰化後再以濕式剝除（SPM）去除殘留物與金屬污染。
先進製程中灰化的課題，是對 Low-k 絕緣膜（介電常數<3.0）的電漿損傷。Low-k 膜（SiOC、SiOF 等）為多孔質結構，氧自由基會滲入並切斷 Si-CH₃ 鍵，使介電常數上升，即所謂「Low-k 損傷」。為防止此問題，會採用 H₂/N₂ 混合電漿（Forming gas 灰化）或低溫製程。主要灰化設備廠商為應用材料（Applied Materials，Radiance）、科林研發（Lam Research）與東京威力科創（TEL，Relius）。