遠端電漿源（RPS）是在製程腔體外側另設的空間產生電漿，只將在該處生成的自由基導入腔體的設備零組件。由於不將離子與紫外線帶入腔體，只供應化學反應物種，因此能同時實現低損傷的表面處理與高效率的腔體清潔。
最大用途是清除腔體內的殘膜。CVD、PECVD 需要定期去除沉積在腔壁與噴淋頭上的膜。過去是在腔體內點燃 CF₄ 等電漿，而 RPS 是在外部解離 NF₃，只送入氟自由基（F），因此分解效率高，對設備內部零組件的損傷也能控制在較小程度。
RPS 在環境負荷方面也很重要。以 RPS 解離 NF₃ 時分解率非常高，可大幅減少未反應即排出的溫室氣體。PFC 減排直接關係到元件廠商的脫碳目標，因此 RPS 的導入與尾氣處理設備的高效率化常被相提並論。
清潔以外的用途包括光阻灰化（以氧自由基去除）、原生氧化層去除（NF₃/NH₃ 系的乾式化學處理），以及沉積前的表面前處理等。這些都是希望避免離子轟擊損傷的製程，共同點是在抑制對底層損傷的同時進行化學反應。
電漿產生方式以環形（感應耦合）與微波型為主流。主要廠商有 MKS Instruments（ASTRON 系列）、Advanced Energy、應用材料（Applied Materials）等，以由薄膜沉積設備廠商作為模組整合的形式供應。