雪崩耐量是指功率半導體承受超過耐壓（崩潰電壓）的電壓而發生雪崩崩潰（突崩崩潰）時，能在不損壞的情況下吸收的能量大小。在功率MOSFET的規格書中，會以1次脈衝可承受的單脈衝雪崩能量（EAS）、重複施加時可承受的重複雪崩能量（EAR）以及雪崩電流（IAR）來表示。
雪崩崩潰是指在空乏區強電場中被加速的載子撞擊原子，接連產生新的電子與電洞，使電流如雪崩般急遽增加的現象。在實際電路中，這種情況最容易發生在以電晶體切斷馬達或變壓器線圈等電感性負載的電流時。線圈為了維持電流流動會產生高電壓，一旦超過電晶體的耐壓，線圈中儲存的能量（E＝½LI²）就會在電晶體內部以熱的形式消耗掉。模擬這種條件的測試稱為UIS（Unclamped Inductive Switching）測試。
雪崩時的破壞，除了發熱造成的溫度上升之外，也會因MOSFET內部的寄生雙極性電晶體導通、電流局部集中而發生。因此，元件結構以及在晶片周邊維持耐壓的終端結構設計，會左右雪崩耐量。矽和SiC的MOSFET在設計上具備雪崩耐量，但橫向型GaN HEMT在原理上不會發生雪崩崩潰就直接損壞，因此使用時須在耐壓上保留很大的餘裕。在電路方面，基本做法是以緩衝電路（snubber）或箝位電路抑制突波電壓，避免元件進入雪崩狀態。