SOA（Safe Operating Area，安全工作區）是指功率半導體能在不損壞的情況下動作的電壓與電流組合範圍。在規格書中，以橫軸為汲極－源極間電壓（IGBT為集極－射極間電壓）、縱軸為電流的雙對數圖表示，並依脈衝寬度畫出邊界線。電路設計時，須選擇能讓動作中的電壓與電流全部落在此範圍內的元件。
SOA的邊界由幾項限制決定。左上方是由導通電阻決定的電流上限，上方是最大電流額定，右方是最大電壓額定（耐壓）。其間的斜線代表元件消耗功率所造成的發熱限制（熱限制），脈衝寬度越短，溫度越來不及上升，可使用的範圍也越廣。雙極性電晶體還會加上電流局部集中而損壞的2次崩潰限制。規格書中的SOA通常是殼溫25℃時的數值，因此必須配合實際使用溫度縮小範圍（降額）。
IGBT依用途會規定導通時的順向偏壓SOA（FBSOA）、關斷時同時承受高電壓與大電流的逆向偏壓SOA（RBSOA），以及短路時的短路SOA（SCSOA）。此外，已知在以微縮提高單元密度的近期功率MOSFET中，若在同時承受電壓與電流的線性區使用，會發生溫度越高電流越大的局部熱失控（Spirito效應），使SOA變窄。在湧入電流限制、熱插拔、電子負載等於線性區使用MOSFET的電路中，確認SOA特別重要。