本體二極體是指在MOSFET結構中必然形成的pn接面二極體，也稱為寄生二極體或內建二極體。在n通道功率MOSFET中，p型本體（井）與n型汲極之間存在pn接面，且本體與源極相連，因此會有一個讓電流從源極流向汲極的二極體與電晶體並聯存在。
在逆變器或馬達驅動的橋式電路中，電晶體關斷的瞬間需要讓線圈電流得以續流的飛輪二極體（free-wheeling diode）。MOSFET可由本體二極體擔任這個角色，因此不必另外增加二極體就能構成電路。另一方面，IGBT在結構上沒有本體二極體，因此會在同一封裝內搭配續流用二極體（FWD）使用。為了縮短電流流經本體二極體的時間以降低損耗，也常採用在續流期間讓MOSFET本身導通、使電流流經通道的同步整流。
本體二極體屬於pn接面二極體，因此會有逆向恢復現象，特別是矽超接面MOSFET的逆向恢復電荷大，在橋式電路中可能成為損耗或元件破壞的原因。因此也有以載子壽命控制加快本體二極體逆向恢復的產品。SiC MOSFET的本體二極體逆向恢復小，但順向電壓高達3V左右，而且已知若持續順向通電，晶體中的基面差排會擴展成堆疊缺陷，造成導通電阻等特性惡化，也就是雙極性劣化。對策包括改善磊晶層品質，以及開發內建SiC蕭特基能障二極體的產品。