電荷捕捉快閃記憶體（CTF：Charge Trap Flash）是NAND快閃記憶體的一種資料儲存方式，以氮化矽（Si3N4）等電荷捕捉膜取代浮動閘極（FG）來捕捉並保持電荷，藉此儲存資料。相較於傳統的浮動閘極NAND，單元間干擾（Cell-to-Cell Interference）較少，且與三維堆疊（3D NAND）的相容性佳，因此為目前主流的3D NAND結構所採用。
CTF的基本結構是O-N-O（SiO2-Si3N4-SiO2）的ONO堆疊，由下層SiO2（穿隧氧化層）、中間Si3N4（電荷捕捉層）、上層SiO2（阻擋氧化層）構成。寫入時以FN穿隧（Fowler-Nordheim穿隧）或熱電子注入將電荷捕捉於Si3N4中，抹除時則以反方向的FN穿隧釋放電荷。
CTF被3D NAND採用的最大原因，在於與浮動閘極不同，它沒有單元間浮動閘極的電容耦合問題（IPD：Inter-Poly Dielectric問題）。3D NAND在字元線方向堆疊大量單元，因此降低單元間干擾是提升密度的關鍵。三星（V-NAND）、SK海力士、美光全都採用CTF結構。
在3D NAND製造中，CTF層形成於圓筒狀（垂直通道）的周圍，因此需要高深寬比（目前TLC 200層以上已超過300：1）的圓筒蝕刻，以及以ALD（原子層沉積）進行O-N-O膜的均勻共形沉積。蝕刻的難度（均勻性、垂直性、弓形抑制）是3D NAND擴大堆疊層數的最大瓶頸。
CTF材料以Si3N4（氮化矽）為標準，但也在研究採用高介電常數材料（HfO2基）或鐵電材料（HZO：Hf-Zr氧化物：FE-FET NAND）。FE-CTF（鐵電電荷捕捉）可望實現更高速的覆寫與低電壓操作，是次世代非揮發性記憶體技術的候選之一。在製造設備方面，科林研發、東京威力科創、ASM International是3D NAND用ALD/CVD與蝕刻設備的主要供應商。