NAND 串是指 NAND 型快閃記憶體中，將多個記憶單元（電晶體）串聯而成的1列。兩端各有選擇電晶體，一端連接位元線，另一端連接源極線。以串為單位將單元串聯，就不需要為每個單元個別拉導線，這正是 NAND 型能實現高記憶密度的原因。
1條 NAND 串中，平面型（2D）NAND 大約串聯32個或64個單元，3D NAND 則串聯與堆疊層數相同數量的單元。各單元的閘極連接字元線，共用同一條字元線的眾多 NAND 串中的單元，會作為1頁一起讀寫。
讀取時，對要讀取之單元的字元線施加判定用電壓，對其他單元的字元線則施加無論記憶狀態為何都會導通的高電壓（通過電壓，pass voltage）。如此一來，NAND 串是否有電流流過只取決於要讀取之單元的狀態，因此即使是串聯結構，也能讀出1個單元的資訊。抹除則以區塊（多條 NAND 串的集合）為單位一起進行。
3D NAND 是將作為字元線的導電層與絕緣層交互堆疊數百層，再開出垂直貫穿該堆疊膜的細孔（通道孔），在孔內側形成儲存電荷的膜與多晶矽通道。這1條縱向延伸的通道就構成1條 NAND 串。堆疊層數增加後 NAND 串變長，通道電阻上升、讀取電流下降，因此會採用將堆疊分成2段、3段再相互連接的結構等。
由於 NAND 串是串聯結構，每次寫入或讀取時，同一條 NAND 串的其他單元也會承受電壓，導致記憶內容逐漸受到擾動，產生讀取擾動（read disturb）與寫入擾動（program disturb）。為了彌補這一點，記憶體控制器會進行錯誤更正與資料重寫。