NAND製程是製作將浮動閘極型或電荷捕捉型快閃記憶體單元多層堆疊之3D NAND結構的製造技術。透過增加堆疊層數（目前已超過232～238層）降低每位元成本，實現SSD、智慧型手機儲存等的大容量化。
三星、SK海力士、美光、鎧俠引領先進NAND製造。隨著堆疊層數增加，蝕刻（高深寬比）與薄膜沉積步驟日趨複雜，對製造設備的技術要求也隨之提高。
目前的NAND以將記憶單元垂直堆疊的3D NAND為主流。堆疊層數已超過200層，一次形成深孔（通道孔）的高深寬比蝕刻，以及貫穿所有層的薄膜沉積技術，是製造的關鍵。
藉由在1個單元中記錄多個位元的多值化（TLC/QLC）與增加堆疊層數，持續降低每位元成本。三星、SK海力士、美光、鎧俠為主要廠商，支撐SSD與智慧型手機的儲存需求。