Intel 18A（舊稱：相當於 Intel 1.8nm）與 Intel 3，是英特爾製程節點路線圖中的最先進世代。Intel 3（舊 Intel 7 的後繼，相當於 3nm）已在 Intel Meteor Lake・Lunar Lake 量產中，Intel 20A・Intel 18A 則預定用於 Intel Panther Lake（PC 用，2025～2026年）與 Clearwater Forest（伺服器用）。英特爾不僅將這些製程用於 IDM（自家產品），也以 IFS（Intel Foundry Services）的形式提供給外部客戶，目標是重振晶圓代工事業。
Intel 18A 納入了 2 項創新技術。（1）RibbonFET：英特爾對 GAA（Gate-All-Around）的實作名稱。結構與台積電奈米片相同，目標是驅動電流比 FinFET 提升 30% 以上。（2）PowerVia：英特爾對 BSPDN（背面供電網路）的實作名稱。從晶圓背面供電，可提高正面訊號導線密度，並將 IR 壓降減少 10～20%。這 2 項技術的組合，以比 TSMC N2 更早量產採用 BSPDN 而形成差異化。
Intel 18A 被定位為早期採用 High-NA EUV 曝光的製程。英特爾是 ASML EXE:5000 最早的交貨客戶之一，計畫將 High-NA EUV 應用於 18A 的部分關鍵層。英特爾藉此以不同於 TSMC N2 的差異化（BSPDN 的 early adoption、High-NA EUV 的率先應用）來展現技術優勢。
作為 IFS（Intel Foundry Services），Intel 18A 目標提供給微軟、高通、聯發科、MagnaChip 等外部客戶。然而，Intel 3・20A 的良率問題與量產延遲動搖了市場信心，18A 量產啟動的成敗被視為左右英特爾晶圓代工事業存廢的重大試金石。2025～2026年是 18A 從送樣到量產啟動的關鍵時期。
對 Applied Materials、Lam Research、ASML 等設備廠商而言，Intel 3／18A 是台積電、三星以外重要的先進製程客戶。尤其英特爾在亞利桑那、奧勒岡、俄亥俄的晶圓廠擴建（總投資超過 200億美元）結合美國晶片法案（CHIPS Act）補助，帶來設備需求的地理多元化（對美國的設備出貨增加）。Intel 18A 的走向直接關係到美國製造設備市場 2026～2028年的需求預測。