半導體材料用語一覽
涵蓋矽晶圓、特殊氣體、前驅物、光阻、研磨液、高純度化學品與封裝材料等製造所需的各種材料。材料的純度與特性直接影響製程表現與良率，是支撐半導體製造不可或缺的重要基礎。
半導體材料的用語（40 個）
- 半導體材料半導體材料是半導體元件及其製程所使用之各種材料的總稱，涵蓋晶圓基板、薄膜沉積材料、微影材料、研磨材料、清洗藥液、封裝材料等。
- 半導體製造用材料半導體材料是半導體元件製造所使用之各種材料的總稱，涵蓋矽晶圓、成膜材料、光阻、蝕刻氣體、CMP 研磨液、清洗藥液等，用於製程的各個步驟。
- 化合物半導體化合物半導體是由週期表中2種以上元素組合而成之半導體材料的總稱，代表例有砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、磷化銦（InP）等。
- MEMS（微機電系統）MEMS（微機電系統）是應用半導體微細加工技術，將機械結構體（感測器・致動器・微流道等）與電路整合在同一基板上的元件・技術總稱。
- 碳化矽（SiC）碳化矽（SiC）是由矽與碳構成的IV-IV族化合物半導體，具備寬能隙、高崩潰電場與高熱傳導率，是優異的功率半導體材料。與相同耐壓設計的矽元件相比，導通電阻可降至1/300以下。
- 氮化鎵（GaN）氮化鎵（GaN）是由鎵與氮構成的III-V族化合物半導體，具備寬能隙（3.4eV）、高崩潰電場（3.3MV/cm）與高電子飽和速度，是功率元件、高頻元件與光元件的重要材料。
- 釕金屬導線釕金屬導線是以釕（Ru）取代傳統銅（Cu）作為半導體晶片細線導線材料的技術，最大特點是在導線寬度縮小至奈米尺度時，有效電阻率低於銅。
- 2D材料（二維材料）2D材料（二維材料）是由1層或數層原子構成的片狀結晶材料總稱，代表例有石墨烯，以及MoS₂、WSe₂等過渡金屬二硫屬化物（TMD），作為超越矽極限的次世代通道材料而受到研究。
- 鈷金屬導線鈷金屬導線是在半導體晶片的局部導線層（M0～M1左右）以鈷（Co）取代傳統鎢（W）或銅（Cu）的導線技術，因英特爾在10nm製程採用而廣為人知。
- 鉬導線（鉬內連線）鉬導線是以鉬（Mo）取代銅（Cu）作為半導體晶片微細導線材料的次世代內連線技術。
- EUV光罩保護膜（EUV Pellicle）EUV光罩保護膜是為了保護EUV微影用光罩免受異物污染，而張設在距光罩表面數mm處的薄膜保護層（membrane）。
- 鍺通道電晶體鍺通道電晶體是以鍺（Ge）取代傳統的矽（Si）作為電晶體通道材料的次世代元件技術。
- ABF增層膜（味之素增層膜）ABF增層膜是由味之素精細科技（Ajinomoto Fine-Techno）開發製造、用作半導體IC載板絕緣層的環氧樹脂系絕緣膜材料。
- 特殊氣體（製程氣體）特殊氣體（製程氣體）是半導體製造中薄膜沉積、蝕刻、摻雜步驟所使用之高純度氣體的總稱。
- TEOS（四乙氧基矽烷）TEOS（四乙氧基矽烷）是以 CVD 形成二氧化矽膜（SiO₂）時廣泛使用的液態原料（前驅物）。
- 石墨烯石墨烯是碳原子排列成蜂巢狀（六角形晶格）、厚度僅有1層原子的二維材料，於2004年被發現。它兼具極高的電子遷移率、優異的熱傳導性、機械強度與透明性，但由於沒有能隙，直接使用時難以用…
- 奈米碳管奈米碳管（CNT）是將碳的六角形晶格（石墨烯）捲成筒狀、直徑為奈米等級的圓筒狀材料。依捲曲方式（手性，chirality）不同，可呈現金屬性或半導體性，具有高電流密度耐受性與優異的…
- 有機半導體有機半導體是以碳為主體的有機化合物，卻具有半導體性質的材料。與矽等無機半導體不同，可用塗布或印刷成膜，因此能實現輕量、可撓、大面積與低成本。已在有機EL（OLED）顯示器中實用化，…
- SOI（絕緣層上覆矽）SOI（絕緣層上覆矽）是在矽基板上夾入埋入氧化層（BOX），並在其上的薄矽層形成電晶體的基板技術。由於元件與底層絕緣隔離，在降低接面電容、抑制漏電、抗閂鎖效應及抗輻射能力方面表現優…
- 多晶矽多晶矽是由許多晶向不一致的小晶粒聚集而成的矽。在半導體製造中，用作電晶體的閘極電極材料、3D NAND的字元線、MEMS的結構材料，同時也是成長單晶晶棒的高純度原料（feedsto…
- 晶體結構晶體結構是原子在三維空間中規則且週期性排列的結構，半導體的電氣與機械性質由此原子排列決定，是理解與加工矽等半導體材料的出發點。
- 米勒指數米勒指數是用來表示晶體中晶面與方向、由3個整數組成的表示法，晶面以(100)之類的小括號、晶向以[100]之類的方括號表示，是指定半導體晶圓的晶面方向的標準方法。
- 晶面方向晶面方向是表示矽晶圓表面沿著哪一個晶面切出的規格，以米勒指數表示為(100)面、(110)面、(111)面等，是左右元件特性的重要規格。
- 共價鍵共價鍵是相鄰原子各自提供電子、共用電子對而結合的化學鍵，矽與鍺等半導體晶體即藉由共價鍵形成規則的晶體結構，是半導體電氣性質的基礎。
- 八隅體規則八隅體規則是原子的最外層電子（價電子）達到8個時會在化學上趨於穩定的經驗法則，是理解矽等半導體以共價鍵形成晶體的機制，以及以摻雜控制導電的基礎。
- 單晶單晶是整個材料中原子都保持單一連續規則排列的晶體，不含晶向中途改變的晶界，半導體元件原則上都製作在單晶矽上。
- 鑽石結構鑽石結構是每個原子與周圍4個原子以正四面體狀共價鍵結的立方晶系晶體結構，因碳的鑽石採取此結構而得名，矽、鍺等代表性半導體也具有此結構。
- 晶體缺陷（晶格缺陷）晶體缺陷（晶格缺陷）是晶體中原子規則排列發生紊亂之處，依擴展的維度分為點缺陷（空位、間隙原子）、線缺陷（差排）、面缺陷（堆疊缺陷、雙晶、晶界）、體缺陷（析出物、空洞）。它會在能隙中…
- 點缺陷（空位・間隙原子）點缺陷是晶體中原子1個位置上產生的紊亂，包括晶格點空出的空位、擠進空隙的間隙原子、由其他原子佔據的取代型雜質等。與其他缺陷不同之處在於，即使在熱平衡下也會隨溫度呈指數增加。由於它居…
- 差排差排是晶體中原子排列的錯位呈線狀延伸的缺陷（線缺陷），依錯位方向分為刃差排與螺旋差排。矽中差排沿{111}面滑移，貫穿 pn 接面時會成為漏電流路徑，因此單晶晶棒以無差排方式成長。…
- 堆疊缺陷（Stacking Fault）堆疊缺陷（stacking fault）是原子面的堆疊順序以某個面為界發生紊亂的面狀缺陷，在矽中是{111}面 ABCABC… 順序中有一部分缺少或插入多餘的層。熱氧化時注入的間隙…
- 晶格常數晶格常數是指結晶中原子規則排列的重複單位（單位晶格）的邊長，矽約為0.543nm，GaAs約為0.565nm。基板與薄膜的晶格常數差（晶格失配）大時會產生失配差排，因此是磊晶成長與…
- GaAs（砷化鎵）GaAs（砷化鎵）是由鎵與砷組成的III-V族化合物半導體，屬於能隙約1.42eV的直接能隙型，電子遷移率約為矽的6倍。用於智慧型手機的RF功率放大器（HBT）與開關（pHEMT）…
- InP（磷化銦）InP（磷化銦）是由銦與磷組成的III-V族化合物半導體，屬於能隙約1.34eV的直接能隙型。與晶格匹配的InGaAs・InGaAsP組合後，可處理光纖通訊1.3μm・1.55μm…
- 矽矽（Silicon）是原子序14、元素符號Si的元素，是構成大部分半導體元件的基本材料。它在地殼中含量豐富，能隙約1.12eV、容易以雜質控制，並可透過熱氧化形成優質絕緣膜，這些都…
- 塑性變形塑性變形是指施力使物體變形後，即使移除外力也無法恢復原狀而殘留的變形，與彈性變形相對。在晶體中由差排的移動造成，矽在高溫下會發生塑性變形，因此熱處理中的熱應力或自重會產生滑移缺陷與…
- 晶界晶界是多晶材料中方向不同的晶粒彼此相接的邊界，原子排列較為紊亂。在複晶矽中，晶界會捕獲載子而使電阻升高；在微細銅導線中，電子散射會使電阻上升，晶界也會成為電遷移時原子的通道。可透過…
- 鎢（W）鎢（W）是原子序74、熔點最高的金屬，在半導體中用於連接電晶體與導線的接觸窗插塞，以及DRAM・3D NAND的字元線。其強項是能以六氟化鎢的CVD填入細而深的孔底部。微縮化使電阻…
- 銅（Cu）銅（Cu）是原子序29、導電性僅次於銀的金屬，在半導體中是用於晶片內導線、焊線、凸塊、基板線路以及晶片間接合的核心材料。比鋁電阻低、更耐電遷移，但不易蝕刻且容易擴散，因此以鑲嵌法（…
- LTPS（低溫多晶矽）LTPS（低溫多晶矽）是在玻璃基板可耐受的約600℃以下所製作的多晶矽膜。以準分子雷射瞬間熔化非晶矽使其結晶（ELA），將遷移率提高到約50～200cm²/Vs。用於驅動智慧型手機…
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最後更新：2026年10月8日