ArF（Argon Fluoride：氟化氬）是以波長 193nm 的準分子雷射為光源的 DUV（深紫外光）微影技術。ArF 曝光以比 KrF（248nm）更短的波長實現更高的解析度，特別是以「ArFi（ArF 浸潤式曝光）」的形式隔著純水達成 NA>1，成為支撐 45nm～7nm 左右先進製程節點的主力微影技術。在 EUV 已經普及的現在，仍是負責先進晶圓廠非關鍵層與成熟節點量產、不可或缺的技術。
ArF 乾式曝光（ArF Dry）直接使用 193nm 光，在乾式環境（空氣・氮氣）下進行 NA<1 的曝光，解析度極限約為 90nm。ArFi（ArF Immersion：ArF 浸潤式曝光）則在投影透鏡與晶圓之間充滿純水（折射率 n=1.44），以有效 NA=n×sinθ 實現超過 1.0 的 NA（最大 1.35）。NA 越高，解析度 R=k₁×λ/NA 就越好，從 45nm 開始，再結合多重曝光（SADP/SAQP），可對應到 7nm・10nm 節點。
ArF 光阻（化學放大型光阻：CAR）吸收 ArF 波長 193nm 的光，並在曝光後的 PEB（Post Exposure Bake）中引發酸催化反應，使其對顯影液的溶解性改變。ArF 光阻比 KrF 光阻更以壓克力酸酯系樹脂為主流，要求高解析度與低 LWR（線邊緣粗糙度）。主要供應商有 JSR、信越化學、東京應化（TOK）、富士軟片（Fujifilm）、Dongjin Semichem（韓國）等。
ArFi 所使用的多重圖案化技術是提升解析度的核心。SADP（Self-Aligned Double Patterning：自對準雙重圖案化）以間隔物（spacer）技術將圖案間距縮減為 1/2，SAQP 更進一步縮減為 1/4，LELELE（Litho-Etch-Litho-Etch-Litho-Etch）則以 3 次曝光形成圖案。藉由這些技術，即使是 ArFi（λ/NA=193/135=143nm）也能形成 14nm 半間距以下的電路。在先進 7nm 邏輯中，全部曝光步驟的 70～80% 以上由 ArFi 負責。
ArF 曝光機的主要廠商為艾司摩爾（ASML，NXT:2100i：最高 305 WPH・NA=1.35 為最新旗艦機種）、尼康（Nikon，NSR-S635E 等）、佳能（Canon，FPA-8300iZ 等）。ArFi 的全球出貨台數遠多於 EUV，在 2020年代每年仍有數百台出貨。日本的半導體晶圓廠（瑞薩電子・鎧俠・索尼・Rapidus）也有大量機台在運轉。