KrF（Krypton Fluoride：氟化氪）是以波長 248nm 的準分子雷射為光源的 DUV（深紫外光）微影技術。1990年代至 2000年代前半，作為先進邏輯的主力技術帶動了半導體產業的微縮。目前先進製程的地位已讓給 ArFi 與 EUV，但在成熟節點（130nm～1μm）的量產、先進元件中大量非關鍵的曝光層（Non-Critical Layers），以及類比・功率・RF 半導體的製造上，仍是不可或缺的技術。
KrF 曝光的解析度由 NA 值與曝光波長 248nm 決定，一般解析度極限約在 250nm～130nm（以製程係數 k₁＝0.35～0.4 計）。KrF 並未朝與 ArFi 或多重曝光結合來推進微縮的方向發展，基本上只用於單次曝光或雙重曝光（LELE）程度。但在成熟節點上解析度已經足夠，從成本・產能・運轉實績的角度來看，KrF 是最佳選擇。
KrF 至今仍被大量使用的理由有：① 成熟節點（28nm～數μm）的量產成本低：KrF 設備價格約為 ArFi 的 1/5～1/3，二手市場也很充足；② 即使是先進晶片，非關鍵層（深層：場氧化層・N-well・P-well・部分導線等）也能以 KrF 處理；③ 在類比・電源 IC・感測器・MEMS 等專用晶圓廠（8吋・6吋）中，KrF 是主力光源；④ 晶圓上全部 100 層以上的製程中，未以 EUV（數層）、ArFi（數十層）處理的其餘大部分層由 KrF 負責。
KrF 光阻是吸收 248nm 光的化學放大型光阻（CAR），以聚羥基苯乙烯（PHS）系為代表。感度比 ArF 光阻高且價格便宜，因此 KrF 製程在成本上也較有利。主要光阻供應商有 JSR、信越化學、東京應化、富士軟片、Shin-Etsu 等，由日本企業領導全球市場。
KrF 曝光機的主要廠商為艾司摩爾（ASML，PAS 5500 系列・Twinscan ND 系列）、尼康（NSR-SF150A 等）、佳能（FPA-5510iV 等）。KrF 設備已是成熟技術，因此重心放在維護與升級，而非開發新機種。二手 KrF 設備市場也很熱絡，持續供應給中國及成熟節點專用晶圓廠。在日本的 8吋產線（德州儀器的半導體製造據點等）也廣泛運轉中。