NA（Numerical Aperture：數值孔徑）是表示光學系統（透鏡或物鏡）可聚集之光線角度範圍的無因次指標，在半導體微影（曝光機）中是決定解析度最重要的參數之一。NA 定義為「NA＝n×sinθ（n：介質的折射率，θ：最大半角）」。NA 越高，光越能被聚焦得更細，因此能形成更微細的圖案。
解析度與焦深（DOF：Depth of Focus）強烈依賴 NA。由解析度 R＝k₁×λ/NA（k₁：製程係數，λ：波長）的公式可知，NA 越高解析度越好。但焦深 DOF＝k₂×λ/NA² 與 NA 的 2 次方成反比而急遽下降，因此 NA 越高，晶圓表面的平坦度管理就越嚴格。與 NA=1.35 的 ArFi 浸潤式相比，NA=0.55 的 High-NA EUV 在同樣以波長比較時，有 DOF 變成（0.55/1.35）²≒1/6 的疑慮，晶圓・光罩的平坦度管理成為課題。
NA=1 的障壁與浸潤式曝光：乾式曝光（介質為空氣：n=1.0）在物理上以 NA<1 為極限（因為 sinθ 不可能超過 1）。ArFi 浸潤式曝光將介質換成純水（n=1.44），使 NA=n×sinθ=1.44×sinθ，理論最大可達 NA=1.44。實際上艾司摩爾的 NXT:2100i 已達成 NA=1.35。若使用高折射率液體（n>1.5）可進一步提高 NA，但尚未實用化。
EUV 曝光的 NA：EUV（波長 13.5nm）使用反射光學系統，因此「NA＝sinθ（真空中：n=1）」。傳統 EUV（ASML NXE:3600D/3800E）的 NA=0.33，解析度半間距約 13nm（k₁=0.33 時）。High-NA EUV（ASML EXE:5000/5200）將 NA 提高到 0.55，解析度提升至約 8nm 半間距。不過要實現 NA=0.55 需要變形（anamorphic）光學系統（4x×8x 的非對稱縮小），也產生了光罩設計不相容的課題。
與 NA 相關的概念：「σ（同調因子）」表示光源的部分同調性，會影響解析度與 DOF。「OAI（離軸照明）」以 Dipole・Quasar・Annular 等特殊照明形狀降低 k₁，提升有效解析度。曝光機的 NA 與透鏡設計的複雜度和成本直接相關，NA=1.35 的 ArFi 透鏡製造難度極高，由最先進的光學廠商（蔡司（Carl Zeiss）等）獨家供應。