反向恢復是指pn接面二極體從順向電流流通的狀態，突然被施加逆向電壓時，會有一段時間反向電流流通的現象。反向電流從開始流通到停止的時間稱為反向恢復時間（trr），期間流過的電荷稱為反向恢復電荷（Qrr），電流峰值稱為反向恢復電流（Irr）。在變頻器或交換式電源這類以高頻開關二極體的電路中，這是損耗與雜訊的主要原因。
發生反向恢復，是因為pn接面二極體在順向導通期間，接面周圍累積了大量少數載子。即使將電壓反向，在累積的載子因復合而消失、或作為反向電流被抽出之前，二極體都無法阻斷電流。這股反向恢復電流也會流入橋式電路中導通側的電晶體，除了二極體本身的損耗外，也會增加對側開關的導通損耗。電流急速停止時，導線的電感會產生電壓突升（突波）與振鈴（ringing），也成為雜訊（EMI）的來源。
對策是使用以鉑或金擴散、電子束或氦照射縮短載子壽命，加快反向恢復的快速恢復二極體（FRD）。讓電流平緩停止的軟恢復特性也很重要。僅以多數載子運作的蕭特基二極體，原理上沒有少數載子累積造成的反向恢復。SiC SBD即使在高耐壓下也幾乎沒有反向恢復，因此能大幅降低變頻器的損耗。MOSFET內建的本體二極體的反向恢復，也是橋式電路設計中需要注意的特性。