蕭特基二極體（SBD）是利用金屬與半導體接面（蕭特基接面）所產生之電位障壁（蕭特基能障）的二極體。與pn接面二極體不同，它只靠多數載子運作，特點是順向電壓降小、切換速度非常快。
由於具有高速、低損耗的優點，廣泛用於交換式電源與DC-DC轉換器的整流，以及高頻電路。近年採用SiC（碳化矽）的SiC蕭特基二極體，在EV用逆變器與高電壓電源中日益普及。金屬／半導體界面的費米能階釘扎（Fermi level pinning）會影響障壁高度。
蕭特基二極體沒有少數載子的累積，因此開關切換時產生的逆向恢復時間幾乎為零，在高頻下也能有效率地運作。順向電壓降也低至約0.3V，可抑制整流時的損耗。
另一方面，其弱點是逆向漏電流大、不易取得高逆向耐壓。克服此弱點的是SiC（碳化矽）蕭特基二極體，兼具高耐壓與低損耗，在EV用逆變器、太陽能發電的功率調節器、伺服器電源等領域日益普及。