製造流程基礎用語一覽
涵蓋從矽晶圓到成品晶片的整體製造流程，例如晶圓製造、薄膜沉積、微影、蝕刻、測試與封裝，包括前段製程與後段製程的主要步驟及其相互關係。了解各步驟的目的與順序，是進一步學習個別製程技術與設備的出發點。
製造流程基礎的用語（27 個）
- 前段製程設備前段製程設備是在矽晶圓上製作電晶體與導線等積體電路結構的「前段製程」中所使用之設備的總稱，涵蓋曝光、蝕刻、薄膜沉積、清洗、檢測、量測等多種設備類別。
- 後段製程設備後段製程設備是在晶圓製程完成後的後段製程中，用於將晶圓切割成晶片（晶粒）、進行封裝與電性測試等一連串步驟之設備的總稱。
- 半導體製程半導體製程是在矽晶圓上反覆堆疊電晶體、導線與絕緣膜，直到完成具有功能之積體電路晶片為止的所有步驟的總稱。分為在晶圓上製作元件的前段製程（Front-End），以及進行切割、封裝、測…
- 薄膜沉積薄膜沉積是在晶圓上長出絕緣膜、導體膜與半導體膜。台灣說「沉積」「濺鍍」「磊晶」，中國大陸說「沉积」「溅射」「外延」。
- 離子佈植離子佈植是將雜質元素（摻雜物）離子化後以高能量照射晶圓，把摻雜物導入矽晶體內特定深度的製程，是決定 MOSFET 電氣特性的最重要步驟之一。
- 退火（熱處理）退火（熱處理）是在半導體製造中，以特定溫度曲線加熱晶圓以改變材料物性的熱處理步驟總稱，用於離子佈植後的晶格損傷修復與雜質活化、薄膜緻密化等多種目的。
- 快速熱處理（RTP）快速熱處理（RTP）是以鎢鹵素燈等光源，在數秒～數十秒的短時間內將晶圓快速加熱至數百～1200℃並冷卻的熱處理設備與製程總稱，可在將摻雜物與膜的擴散降到最低的同時獲得所需的熱處理效…
- 磊晶磊晶是在單晶基板上，沿著基板的晶格方向成長一層單晶薄膜的技術。從矽磊晶晶圓、先進電晶體的源極與汲極，到氮化鎵元件，都會用到磊晶。
- 熱氧化熱氧化是將矽晶圓暴露在高溫（800～1200℃）的氧化性氣氛（乾氧或水蒸氣）中，使晶圓表面的矽與氧反應形成矽氧化膜（SiO₂）的製程，特點是所形成的 SiO₂ 品質與界面潔淨度極高…
- 銅導線（鑲嵌製程）銅導線是在半導體元件的多層內連線中使用銅（Cu）的技術，以鑲嵌製程製作，電阻率比鋁約低40%，且抗電遷移能力較高。
- FEOL／BEOL（前段／後段製程）FEOL／BEOL（前段／後段製程）是將晶圓廠內半導體製造製程加以劃分的概念：FEOL 指在晶圓上形成電晶體的工程，BEOL 指形成連接電晶體之多層內連線的工程。
- 淺溝槽隔離（STI）淺溝槽隔離（STI）是在矽基板上蝕刻出淺溝槽，再以氧化矽等絕緣材料填充，使相鄰電晶體之間電氣絕緣的元件隔離技術。
- 雙鑲嵌（Dual Damascene）雙鑲嵌是在形成半導體晶片多層內連線時，以同一道金屬填充步驟一次製作導線溝槽與通孔的製程，是銅導線製程的主流技術。
- 接觸窗形成接觸窗形成是製作垂直導電結構（接觸插塞），將矽電晶體的源極/汲極/閘極電極與上層金屬導線電氣連接的製程。
- 自對準矽化物（SALICIDE）自對準矽化物（SALICIDE）是在電晶體的多晶矽閘極及源極/汲極區域，以自對準方式形成矽化物（金屬與矽的化合物），藉此降低接觸電阻與導線電阻的技術。
- 深反應離子蝕刻（DRIE）深反應離子蝕刻（DRIE）是以高深寬比（深度/寬度比在10以上）精密蝕刻矽等材料的進階乾式蝕刻技術，特點是能在保持近乎垂直側壁的同時形成深結構。
- 選擇性蝕刻選擇性蝕刻是在多種材料共存的表面上，僅選擇性去除特定材料、幾乎不蝕刻其他材料的高選擇比蝕刻技術總稱。
- 終點偵測（Endpoint Detection）終點偵測是在蝕刻或研磨（CMP）等去除類製程中，即時偵測目標層去除完成的瞬間（終點），並自動停止或切換製程的量測與控制技術。
- DUV 曝光DUV 曝光是以ArF（193nm）或KrF（248nm）雷射為光源的曝光技術，搭配浸潤式曝光與多重圖案化，也用於7nm節點以後的製程。
- 熱處理設備熱處理設備是以高溫處理晶圓，進行摻雜物活化、氧化膜形成、退火（晶格恢復）與矽化物形成等作業的設備。
- 光罩製造設備光罩製造設備是用來製造半導體曝光步驟所使用的光罩（reticle）的設備群，由電子束寫入機、光罩檢測設備與光罩修補設備等構成。
- 光罩寫入機光罩寫入機是利用電子束（EB）在光罩基板上直接描繪電路圖案的設備，能以高於曝光機的解析度描繪，用於製作光罩圖案的母版。
- DRAM 製程DRAM 製程是將1電晶體＋1電容的單元結構微縮化、高密度化的製造技術，主要技術課題為縮小單元尺寸並維持電容值。
- NAND 製程NAND 製程是製作將浮動閘極型或電荷捕捉型快閃記憶體單元多層堆疊之3D NAND結構的製造技術，透過增加堆疊層數降低每位元成本。
- 通孔（Via）通孔（Via）是指在多層內連線中，為連接上下導線層而在層間介電層開設的孔，以及填入其中的導體。先進邏輯晶片中1顆晶片形成數十億個通孔，銅導線以雙鑲嵌製程與溝槽同時以電鍍填入。連接電…
- 附著性（黏著性）附著性（黏著性）是指薄膜與底層或材料之間不剝離而黏附在一起的強度。半導體由許多不同材料堆疊而成，界面附著性不足就會發生剝離不良。在導線中的阻障金屬、微影中的HMDS處理、封裝中的封…
- 自對準（Self-Alignment）自對準是以既有結構作為遮罩，不需曝光機對位就能自動對準下一個圖形位置的方法。不需要預留對位誤差的餘裕，能將元件做得更小。以閘極為遮罩形成源極・汲極、自對準金屬矽化物（salicid…
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最後更新：2026年10月8日