最後更新:2026年10月23日IC 開封・斷面加工設備

Helios 5 PFIB DualBeam的特點與規格

賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)・IC 開封・斷面加工設備

結合電漿 FIB 與 SEM 的雙束設備。可進行大面積的平坦去層、截面製作與 TEM 試片製作。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Helios 5 PXL PFIB Wafer DualBeam 是賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)結合電漿聚焦離子束(PFIB)與掃描式電子顯微鏡(SEM)的設備。專為半導體線上量測與製程監控而設計,無需將晶圓從生產線取出即可進行缺陷分析。

離子柱為 Xe+ 電漿 FIB,束流 1pA~2.6µA,ICP 離子源壽命 4,000 小時以上。電子柱採用 Elstar UHR 浸沒式透鏡與蕭特基場發射電子槍,解析度在 15kV 時為 0.9nm、1kV 時為 1.0nm。

支援 300mm・200mm・150mm 晶圓,可透過 EFEM 自動傳送 300mm FOUP(符合 GEM300),並以配方進行無人運轉。支援高速・大範圍的晶圓去層(deprocessing)、斜角加工,以及傳統設備無法觸及的高深寬比結構截面製作,用於先進 3D NAND・DRAM 整個堆疊的結構分析與量測。

主要規格

加工方式電漿 FIB(以獨家氣體化學進行去層)
加工範圍指定位置・大面積的截面/去層
主要用途先進邏輯・3D NAND・2.5D/3D 封裝的物理分析

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

Xe+ 電漿 FIB(1pA~2.6µA)
SEM 解析度 0.9nm(15kV)・1.0nm(1kV)
300mm FOUP 自動傳送・以配方無人運轉
高速大範圍去層・高深寬比截面製作

主要用途

  • 3D NAND・DRAM 高深寬比結構的量測・分析
  • 線上缺陷分析・製程監控

製造商

賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)(總部:美國)

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資料來源

  1. 賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)官方產品頁面:Thermo Fisher Helios 5 PXL