FIB（Focused Ion Beam，聚焦離子束）是把鎵等離子聚焦成細束照射試樣，對目標位置以奈米精度進行切削、觀察或成膜的設備與技術。離子比電子重得多，可以把撞擊處的原子撞飛而切削（濺射）。與電子束顯微鏡（SEM）結合在1台中的 FIB-SEM（雙束系統）被廣泛使用。
在半導體中主要有3種用途。第1是製作斷面：瞄準晶片的不良位置以 FIB 挖孔，再以 SEM 觀察斷面。第2是製作 TEM（穿透式電子顯微鏡）用試樣：從晶片切取厚度100nm 以下的薄片（lamella）。第3是電路修改：切斷導線，或一邊通入氣體一邊照射離子束沉積金屬膜來連接導線，不必重做光罩就能驗證設計錯誤。也用於修補光罩缺陷。
鎵離子會打入試樣、損傷表面，因此最後要以低加速電壓修飾等。需要快速切削大體積時，會使用以氙電漿為離子源的電漿 FIB，適合分析封裝斷面與 TSV。在失效分析中，一般流程是先以 OBIRCH 等縮小不良位置，再以 FIB 製作斷面確認原因。
