Helios 5 PFIB DualBeam
プラズマ FIB と SEM を組み合わせたデュアルビーム装置。大面積の平坦なデレイヤリングと断面作製、TEM 試料作製を行う。
Helios 5 PFIB DualBeamとは
Helios 5 PXL PFIB Wafer DualBeam は、Thermo Fisher Scientific のプラズマ集束イオンビーム（PFIB）と走査電子顕微鏡（SEM）を組み合わせた装置です。半導体のインライン計測とプロセスモニタ向けに設計され、ウェーハを生産ラインから取り出さずに欠陥解析を行えます。
イオンカラムは Xe+ プラズマ FIB で、ビーム電流は 1pA〜2.6µA、ICP イオン源の寿命は 4,000 時間以上です。電子カラムは Elstar UHR 液浸レンズとショットキー電界放出電子銃で、分解能は 15kV で 0.9nm、1kV で 1.0nm です。
300mm・200mm・150mm のウェーハに対応し、EFEM による 300mm FOUP の自動搬送（GEM300 準拠）とレシピによる無人運転ができます。高速・広域のウェーハ脱層（デプロセス）、斜め加工、従来装置では届かない高アスペクト比構造の断面作製に対応し、先端 3D NAND・DRAM の積層全体を通した構造解析と計測に使われます。
主な特長
- •Xe+ プラズマ FIB（1pA〜2.6µA）
- •SEM 分解能 0.9nm（15kV）・1.0nm（1kV）
- •300mm FOUP 自動搬送・レシピによる無人運転
- •高速広域デプロセス・高アスペクト比断面作製
主な仕様
| 加工方式 | プラズマ FIB（独自ガス化学による層剥離） |
|---|---|
| 加工範囲 | サイト指定・大面積の断面／デレイヤリング |
| 主要用途 | 先端ロジック・3D NAND・2.5D/3D パッケージの物理解析 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 日立ハイテクイオンミリング装置 ArBlade® 5000 | 日本電子（JEOL）クロスセクションポリッシャ™ IB-19530CP | サーモフィッシャーサイエンティフィックHelios 5 PFIB DualBeam |
|---|---|---|---|
| 加工方式 | Ar イオンミリング（断面／フラットのハイブリッド） | Ar イオンビームによる断面ミリング | プラズマ FIB（独自ガス化学による層剥離） |
| 加工範囲 | 最大ミリング幅 8 mm（ワイドエリア断面ホルダ） | 最大試料 11 × 10 × 2 mm | サイト指定・大面積の断面／デレイヤリング |
| 主要用途 | SEM 観察用の断面・平面試料作製 | SEM・EPMA・オージェ分析用の断面作製 | 先端ロジック・3D NAND・2.5D/3D パッケージの物理解析 |
| 加工速度 | 断面ミリングレート 1 mm/h 以上 | 500 µm/h（加速電圧 2 ～ 8 kV） | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •3D NAND・DRAM の高アスペクト比構造の計測・解析
- •インラインの欠陥解析・プロセスモニタ
掲載カテゴリ
Helios 5 PFIB DualBeamは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
分析機器・電子顕微鏡（旧FEI）を含む科学機器のグローバル大手メーカー。TEM/SEM・質量分析装置を半導体の故障解析・材料評価向けに幅広く供給する。