銀燒結接合（Silver Sintering，Ag Sintering）是將含奈米或微米級銀粒子的膏材塗佈於晶粒與基板之間，在相對低溫（200～250℃左右）與加壓下燒結，形成金屬學上緻密之銀接合層的新一代黏晶技術。
燒結後的銀層具有接近純銀的導熱率與導電率，且熔點遠高於焊料接合（銀的熔點約960℃），因此運作中再熔融的風險極低，可兼顧高散熱性與溫度循環耐受性。在EV與工業設備用SiC MOSFET、IGBT功率模組這類要求高溫、大電流運作的功率半導體構裝中，採用正持續擴大。
燒結需要控制均勻的加壓與加熱曲線，抑制空洞（void）與降低量產成本是技術課題。與銅夾片接合結合，也有助於實現不使用打線接合的新一代功率模組結構。
材料廠商有Alpha Assembly Solutions（MacDermid Alpha）、Namics等，隨著SiC與GaN功率元件的普及，銀燒結材料與設備的需求正快速擴大。