化合物半導體是什麼

化合物半導體製造設備是專門用於製造 GaAs・InP・GaN・SiC 等化合物半導體元件（功率半導體・RF／微波元件・光元件）的設備。以不同於矽的晶體成長技術（MOCVD・MBE）、磊晶膜形成及晶圓加工設備為主，生產 5G 基礎建設、電動車、雷射通訊等次世代產業的主要零組件。

重點整理

GaAs・InP・GaN・SiC 等化合物半導體專用的製造設備

MOCVD（有機金屬氣相沉積）設備是化合物半導體磊晶形成的主力

針對 5G RF・功率元件・LED・雷射等高附加價值用途

由於 SiC 基板硬度高，切割・研削設備的設計規格與 Si 不同

8 吋 SiC・GaN-on-Si 晶圓正推進大尺寸化與降低成本

MOCVD 與 MBE 如何區分使用？

MOCVD（有機金屬氣相沉積）在量產性與產出量方面表現優異，適合 LED・雷射・HEMT 的大量生產。MBE（分子束磊晶）能進行高精度的成分控制，用於研發與高效能元件，但生產速度較低。

SiC 功率半導體製造與矽有何不同？

SiC 比矽更硬、熔點也更高，因此晶圓切片・研削・切割需要更高耐久性的砂輪與雷射切割。此外，為了高品質磊晶成長需要 1400℃ 以上的高溫 CVD，這點也與矽製程有很大差異。

CMOS 影像感測器（CIS：CMOS Image Sensor）製造設備是以半導體製程製造將光轉換為電訊號之光二極體陣列的設備，應用範圍涵蓋智慧型手機、汽車、醫療、工業相機等。

MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）製造設備是專門用於在同一基板上製作微米尺度機械結構與電子電路之微機械元件的設備。

功率半導體製造設備是製造 IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFET 等功率元件的設備，決定電力轉換的效率、耐壓與耐熱性能。

RF 半導體製造設備是以 GaN（氮化鎵）・GaAs（砷化鎵）・InP（磷化銦）等化合物半導體為基板，製造在高頻段（微波・毫米波）運作之功率放大器、開關、LNA 等元件的設備。

SiC 功率半導體製造設備是專門用於製造以碳化矽（SiC）為基板材料之功率元件（SiC-MOSFET・SiC-SBD 等）的設備。