銅夾片接合（Clip Bonding）是在功率半導體封裝中，以銅製平板狀夾片（金屬板）取代細線，透過焊接連接晶粒電極的構裝技術。與打線接合相比，可大幅擴大連接部的截面積，因此能降低電阻與電感，提升對大電流與高頻切換的對應能力。
在車用逆變器、EV驅動系統、工業馬達控制所使用的功率MOSFET、IGBT、SiC MOSFET封裝（TO-247、PQFN等）中，採用日益普及；由於熱阻也比打線接合低、散熱性優異，有助於功率半導體的高電流密度化與小型化。
在製造製程上，夾片形狀的沖壓加工與定位精度，以及焊接部空洞（void）的抑制，是品質上的重要課題。也已出現與銀燒結接合結合，實現不使用打線接合之「無打線封裝」架構的先進功率模組。