RF 半導體（Radio Frequency Semiconductor：射頻半導體）是用於無線通訊（智慧型手機、5G／6G 基地台、Wi-Fi、衛星通訊、雷達），對 GHz 頻段～THz 頻段的高頻訊號進行放大、收發與處理的半導體元件總稱。功率放大器（PA）、低雜訊放大器（LNA）、開關、濾波器、RF-SOC 等皆屬此類。支援 5G 的智慧型手機每1支搭載的 RF 零組件數量達 100～200 個，RF 半導體市場規模每年達 250～300億美元。
RF 半導體的材料依用途區分使用。智慧型手機的接收濾波器（BAW：Bulk Acoustic Wave・SAW：Surface Acoustic Wave）以壓電材料（氮化鋁、LiNbO3）為主，功率放大器以 GaAs（砷化鎵）、GaN、FD-SOI 為主，低雜訊放大器則以 GaAs、SiGe-HBT 為主流。在支援 5G mmWave（毫米波，24～100GHz）的前端模組（FEM）中，基地台用途採用 GaN-on-SiC 功率放大器。Skyworks Solutions、博通（Broadcom）、村田製作所（Murata）、TDK、Qorvo 為主要供應商。
RF 半導體的製造需要特殊製程。GaAs HBT／pHEMT 採用在 GaAs 專用晶圓上成長磊晶層的製程，由台積電、穩懋半導體（WIN Semiconductors）等代工製造。GaN on SiC 的功率密度最高，由 Wolfspeed、MACOM、英飛凌供應。FD-SOI 則由三星晶圓代工（Samsung Foundry）、意法半導體（STMicroelectronics）負責。化合物半導體的基礎請參閱 化合物半導體，GaN 與 SiC 的比較請參閱 SiC與GaN功率半導體的差異 比較文章。