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アルファ・アセンブリー・ソリューションズ(MacDermid Alpha)

MacDermid Alpha傘下の電子材料メーカー。はんだペースト・銀焼結材料(ダイアタッチ用)・フラックスなど、パワー半導体や先進パッケージング向けの接合材料をグローバルに供給する。

🌐 米国材料公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai の実装材料カテゴリでは、銀焼結材料・はんだペーストのグローバル大手として、パワー半導体の高信頼性ダイアタッチを支える立場にあります。

企業の強み

銀焼結材料でグローバルトップクラス
パワー半導体向け高信頼性ダイアタッチ材料に強み
はんだペースト・フラックスの総合ラインナップ

主要製品・ソリューション

実装材料

  • 銀焼結ペースト
  • はんだペースト
  • フラックス

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、アルファ・アセンブリー・ソリューションズ(MacDermid Alpha)を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

銀焼結接合とは →フラックス(はんだ付け用)とは →ダイボンディング(ダイアタッチ)とは →パワーモジュールとは →

同じトピックの用語

SiC・GaN・RF半導体製造 のトピックで関連する用語です。

パワー半導体とは →化合物半導体とは →エピタキシー(エピ成長)とは →イオン注入とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →

同じトピックの企業

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比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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