最終更新 2026-10-07

ダイボンディングとは(ダイアタッチ)

Die Bonding / Die Attach
目次8項目
  1. 定義・解説
  2. 製造工程フローでの位置
  3. 図解
  4. 設備の製造メーカー
  5. 関連する製品
  6. 関連用語
  7. 比較・違いを学ぶ
  8. 出典・参考資料

定義・解説

ダイボンディング(Die Bonding、ダイアタッチとも呼ばれる)は、ウェハからダイシングで切り出した個々のダイ(チップ)を、リードフレームや基板・ウェハ上の所定位置に固定する後工程の実装工程である。ダイボンダーと呼ばれる専用装置を用い、真空コレット(吸着ツール)でダイをピックアップし、位置決めして接合材料上に搭載する。

接合方式には、エポキシ系接着剤(ダイアタッチフィルム・ペースト)を使う樹脂接着、金属を用いた共晶接合(AuSi・AuSn)・はんだ接合、そして先端パッケージ向けのハイブリッドボンディング(Cu-Cu直接接合)まで多様な手法がある。用途に応じて放熱性・電気伝導性・信頼性の要求が異なるため、接合材料の選定が重要になる。

先端パッケージング向けダイボンダーでは、位置合わせ精度が±1μm以下、フリップチップ実装では熱圧着(TCB:Thermo-Compression Bonding)による高精度搭載が求められる。3D NAND・HBMの多段積層や、チップレット実装の普及に伴い、ダイボンディングの高速化・高精度化・接合材料の多様化が同時に進んでいる。

主要装置メーカーはASMパシフィックテクノロジー(ASMPT)・Besi(旧Datacon)で、日本では新川・キヤノンマシナリーなどが手掛ける。パッケージの種類・用途ごとに最適な接合方式と装置を選定することが、歩留まりと信頼性を左右する。

製造工程フローでの位置

ダイボンディング(ダイアタッチ)は全21ステップのうち STEP 18 にあたります(青枠)。

前工程(ウェハプロセス)後工程(組立・実装・テスト)01シリコンウェハの準備02エピタキシャル成長03↻洗浄04熱酸化05↻成膜06↻レジスト塗布07↻露光(リソグラフィ)08↻エッチング09↻アッシング(レジスト除去)10イオン注入11アニール(活性化熱処理)12↻CMP(平坦化)13↻配線形成(ダマシン)14↻ウェハ検査・計測15ウェハテスト(プロービング)16ウェハ薄化(裏面研削)17ダイシング18ダイボンディング19ワイヤボンディング20モールディング(封止)21最終テスト
↻ は配線などの層の数だけ繰り返す工程です。各工程をクリックすると用語解説へ進みます。

図解

ダイボンディング(ダイアタッチ)の接合方式(樹脂・銀ペースト・共晶・はんだ/焼結銀)
放熱・電気伝導・応力・コストのかね合いで方式を選ぶ。

この用語を扱う職種

後工程(実装・テスト)組立工程エンジニア(アセンブリ)

設備の製造メーカー

この用語に関連する製品

型番は各社の公式製品ページで確認したものです。出典のリンクは各製品ページに載せています。

DB830plus+ シリーズファスフォードテクノロジ・ダイボンダー
APAMAKulicke & Soffa・ダイボンダー
AD8312PlusASMPT・ダイボンダー
Esec 2100 hS iXplusBesi・ダイボンダー
ASYMTEK Spectrum™ IINordson・アンダーフィル装置
DB820ファスフォードテクノロジ・ダイボンダー
KatalystKulicke & Soffa・フリップチップボンダー
Datacon 8800 FC QUANTUM advancedBesi・フリップチップボンダー

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DISCO日本Kulicke & Soffa米国カイジョー日本東京精密(Accretech)日本Nordson米国TOWA日本

比較・違いを学ぶ

出典・参考資料

  1. ファスフォードテクノロジ「DB830plus+ シリーズ 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  2. Kulicke & Soffa「Katalyst 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  3. Besi「Datacon 8800 FC QUANTUM advanced 製品ページ」(2026/10/07 確認)