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東芝

総合電機メーカーの半導体事業。パワー半導体・ディスクリート半導体・イメージセンサーを中心に展開し、かつてのメモリ事業はキオクシアとして分社化された。

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当サイトでの位置づけ

Semirai のデバイスメーカーでは、パワー半導体・ディスクリート半導体の国内大手として、産業機器から車載まで幅広い用途を支える立場にあります。

企業の強み

パワー半導体・ディスクリートで国内大手
産業機器・車載向けに幅広い製品展開
長年の半導体事業の技術蓄積

主要製品・ソリューション

半導体デバイス

  • パワー半導体
  • ディスクリート半導体

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、東芝を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

パワー半導体とは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →集積回路とは →

同じトピックの用語

SiC・GaN・RF半導体製造 のトピックで関連する用語です。

化合物半導体とは →エピタキシー(エピ成長)とは →イオン注入とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →RF半導体(高周波半導体)とは →クリップボンディングとは →

同じトピックの企業

Veeco Instruments米国日新イオン機器日本Plasma-Therm Japan日本Applied Materials米国Infineon TechnologiesドイツSTMicroelectronics(ST)CH

比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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