SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

パッドコンディショナーメーカー2

パッドコンディショナー(研磨パッド再生装置)とは、CMP研磨パッドの表面を常時再生(コンディショニング)してグレージング(目詰まり)を防ぎ、安定した研磨速度を維持する装置・部品です。ダイヤモンド砥粒を電着したディスクをパッド上で摺動させ、スラリーが保持されるアスペリティ(微小突起)を復元します。研磨パッドとともにCMPの「消耗品」として定期交換が必要で、スラリー保持量・研磨均一性・スループット維持に直結します。

メーカー 2関連カテゴリ 3

主要特徴

パッドコンディショニング=ダイヤモンドディスクで研磨パッドのアスペリティ(突起)を再生
インシトゥ(研磨と同時)コンディショニングで連続的にMRR(研磨速度)を安定維持
エクスサイトゥ(研磨後)コンディショニングでパッド表面を深く再生・均一化
ダイヤモンドディスク密度・粒度・回転速度がパッド寿命と研磨プロファイルを決定
3M・Entegris・東京精密・Kinikが主要コンディショナーディスクサプライヤー

よくある質問

パッドコンディショニングとは何ですか?
CMPで使われる研磨パッドはウレタン等の多孔質素材でできており、研磨を続けると表面の微小突起(アスペリティ)が潰れてスラリーを保持できなくなります(グレージング)。パッドコンディショニングとはダイヤモンド砥粒を電着したディスクでパッド表面を削り直し、アスペリティを復元して研磨速度を維持する工程です。
インシトゥとエクスサイトゥコンディショニングの違いは何ですか?
インシトゥ(In-situ)コンディショニングは研磨中にコンディショナーディスクをパッド上で同時に回転させ、リアルタイムでパッドを再生する方式です。エクスサイトゥ(Ex-situ)コンディショニングは研磨が止まった状態でパッドを再生する方式です。先端ロジックのCu CMPではインシトゥが標準で、研磨速度変動を数%以内に抑えます。
パッドコンディショナーディスクはどれくらいで交換しますか?
コンディショナーディスクの寿命はメーカー・使用条件によりますが、一般的に数千〜数万ウェハ処理ごとに交換します。ダイヤモンド粒子の脱落・摩耗がコンタミネーションや研磨不均一の原因となるため、定期的なビジュアル検査と研磨プロファイルの監視が重要です。3M・Entegrisの高品質ディスクは粒子脱落率が低く、先端ノードへの対応が進んでいます。
パッドコンディショナーの主要メーカーはどこですか?
コンディショナーディスクの主要サプライヤーは3M(米)・Entegris(米)・Kinik Company(台湾)・東京精密(日)です。CMP装置一体型のコンディショニングモジュールはApplied Materials・Lam Researchが装置に組み込んでいます。日本ではロームアンドハース(現Dupont)のパッドと組み合わせたシステム選定が一般的です。

メーカー

2社の主要メーカー

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
東京精密(Accretech)日本

日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。

プロービングシステム
ウェーハプローバー自動プローブステーション
ダイシング・研削装置
ダイシングソーウェーハ研削装置
  • ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
  • ダイシングソーおよび研削装置の製造実績

関連カテゴリ

金属CMP装置
酸化膜CMP装置
STI形成CMP装置

関連用語

パッドコンディショニングとは →CMP(化学機械研磨)とは →CMP装置とは →CMPスラリーとは →研磨パッドとは →リテーナリングとは →研磨ヘッドとは →メタルCMP(Cu・W)とは →酸化膜CMP(STI・ILD)とは →研磨レート(Prestonの式)とは →研磨均一性(WIWNU)とは →スクラッチ(CMP傷)とは →

比較・違いを学ぶ

Cu-CMPとW-CMPの違い(メタルCMPの比較)
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが
セリアスラリーとシリカスラリーの違い(CMP砥粒の比較)
CMPスラリーの性能を決めるのは砥粒だけではありませんが、砥粒種の選択はプロセスの性格を大きく規定します。セリアとシリカは、同じ「ナノ粒子を分散させた研磨液」で
CMPとエッチバックの違い|平坦化手法を比較
どちらもウェハ表面を平坦化する技術ですが、メカニズムが根本的に異なります。CMPは研磨剤(スラリー)と研磨パッドを使った化学・機械的研磨で、ナノメートル精度の大
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る