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金属CMP装置メーカー3社

金属CMP装置とは、銅（Cu）・タングステン（W）・コバルト（Co）などの金属配線材料を選択的に研磨・平坦化するCMP装置です。特にCu配線のダマシンプロセスでは、Cu過剰分とバリアメタル（TaN/Ta）を段階的に除去して埋め込み配線を形成する「バリア/Cuの2ステップCMP」が標準工程です。AI SoC・ロジックチップの多層Cu配線（10〜20層）に不可欠で、研磨後の表面抵抗・平坦度・欠陥密度が配線性能に直結します。

メーカー 3 社関連カテゴリ 3 件

主要特徴

Cuダマシン＝Cu電解めっきで溝を充填→CMPで余剰Cu・バリアメタルを研磨・除去

2ステップ研磨：Step1（Cu高速除去）→Step2（バリア/Cu仕上げ）でディッシング最小化

スラリー：H₂O₂酸化剤＋BTA腐食抑制剤＋コロイダルシリカ粒子で選択比を制御

Co配線（14nm以下）・Ru配線（3nm以下）への対応が最新の技術課題

Applied Materials（Reflexion LK Prime）・Lam Research（Sabre XT）が主要装置

よくある質問

金属CMPとは何ですか？▾

金属CMP（Metal CMP）は銅（Cu）・タングステン（W）・コバルト（Co）などの金属薄膜をCMPで研磨・平坦化する工程です。ダマシンプロセスでは絶縁膜に溝を掘って金属を埋め込み、CMPで余剰金属を除去して埋め込み配線を形成します。Cu配線の多層化が進む先端ロジックチップで不可欠な工程です。

Cu CMPで「ディッシング」が起きるのはなぜですか？▾

ディッシング（Dishing）はCu CMPで幅広い配線パターンの中央部が過剰に研磨されてくぼむ現象です。原因は研磨パッドの弾性変形で、広い金属面では中央部の圧力が低下してCuが優先的に除去されます。BTA（ベンゾトリアゾール）腐食抑制剤でCuの溶解速度を制御し、スラリー選定と研磨圧を最適化することで抑制します。

タングステンCMPはいつ使われますか？▾

タングステン（W）CMPはコンタクトホール（M0）のタングステンプラグ形成に使われます。タングステンはCuより硬く腐食しにくいため、CMPにはフェリシアン化物酸化剤＋シリカスラリーが使われます。応力が高くウェハ表面の欠陥管理が重要で、先端ロジックではMo（モリブデン）配線への移行が研究されています。

金属CMP装置の主要メーカーはどこですか？▾

Applied Materials（Reflexion LK Prime）が最先端Cu CMP市場でリードし、Lam Research（Sabre 3D）が後を追います。韓国・台湾ファブではKCTechなどのローカルサプライヤーも参入しています。スラリーはEntegris・CMC Materials（現株式会社）・フジミインコーポレーテッドが主要サプライヤーです。