金属CMP装置メーカー3社
金属CMP装置とは、銅（Cu）・タングステン（W）・コバルト（Co）などの金属配線材料を選択的に研磨・平坦化するCMP装置です。特にCu配線のダマシンプロセスでは、Cu過剰分とバリアメタル（TaN/Ta）を段階的に除去して埋め込み配線を形成する「バリア/Cuの2ステップCMP」が標準工程です。AI SoC・ロジックチップの多層Cu配線（10〜20層）に不可欠で、研磨後の表面抵抗・平坦度・欠陥密度が配線性能に直結します。
主要特徴
よくある質問
金属CMPとは何ですか？▾
Cu CMPで「ディッシング」が起きるのはなぜですか？▾
タングステンCMPはいつ使われますか？▾
金属CMP装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsReflexion LK CMP | Applied MaterialsOpta™ CMP | 荏原製作所F-REX300X | 東京精密（Accretech）ChaMP211 |
|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | 300 mm | 100／150／200 mm（研磨ヘッドは2〜8インチ） |
| 主要用途 | Cuダマシン配線のCMP | — | Cu・W・バリアメタルの研磨 | SiC・MEMS・マイクロLED・SAWフィルターの研磨 |
1機種だけが掲載している項目（13件）
| 研磨・洗浄モジュール数 | 7（上位機 Reflexion LK Prime は 14） | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| 対象膜 | 銅配線・low-k絶縁膜 | — | — | — |
| 関連機種 | Reflexion LK Prime CMP（上位機種） | — | — | — |
| 構成 | — | マルチチャンバー研磨＋最大 10 洗浄モジュール | — | — |
| 研磨対象 | — | メタル・非メタル | — | — |
| 方式 | — | 1 ステップのバッチ研磨・多段の逐次研磨 | — | — |
| トップリング数 | — | — | 4 | — |
| ターンテーブル数 | — | — | 4 | — |
| 洗浄ユニット数 | — | — | 6 | — |
| 位置づけ | — | — | — | 小型CMP装置 |
| 研磨ヘッド | — | — | — | エアフロートヘッド「Sylphide」（ゾーン制御はオプション） |
| 対応範囲 | — | — | — | 研究開発・試作から量産まで（仕様変更に対応） |
| シリーズ構成 | — | — | — | ChaMP211／ChaMP232（200 mm）／ChaMP332（300 mm） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Reflexion LK CMP
銅配線とlow-k絶縁膜の組み合わせを対象としたCMPプラットフォーム。脆いlow-k膜へのダメージを抑えつつ銅ダマシン配線を平坦化する。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨・洗浄モジュール数 | 7（上位機 Reflexion LK Prime は 14） |
| 対象膜 | 銅配線・low-k絶縁膜 |
| 関連機種 | Reflexion LK Prime CMP（上位機種） |
| 主要用途 | Cuダマシン配線のCMP |
| 構成 | マルチチャンバー研磨＋最大 10 洗浄モジュール |
| 研磨対象 | メタル・非メタル |
| 方式 | 1 ステップのバッチ研磨・多段の逐次研磨 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| トップリング数 | 4 |
| ターンテーブル数 | 4 |
| 洗浄ユニット数 | 6 |
| 主要用途 | Cu・W・バリアメタルの研磨 |
ChaMP211
量産ライン向けのCMP技術を小型機に載せた東京精密のCMP装置。φ100〜200mmに対応し、SiC・MEMS・マイクロLED・SAWフィルターなどの研磨を想定している。
| 位置づけ | 小型CMP装置 |
| 対応ウェハ径 | 100／150／200 mm（研磨ヘッドは2〜8インチ） |
| 研磨ヘッド | エアフロートヘッド「Sylphide」（ゾーン制御はオプション） |
| 対応範囲 | 研究開発・試作から量産まで（仕様変更に対応） |
| シリーズ構成 | ChaMP211／ChaMP232（200 mm）／ChaMP332（300 mm） |
| 主要用途 | SiC・MEMS・マイクロLED・SAWフィルターの研磨 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。
- •ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
- •ダイシングソーおよび研削装置の製造実績
同じ分野の装置カテゴリ
酸化膜CMP装置とは、SiO₂（二酸化ケイ素）やSiN（窒化ケイ素）などの絶縁膜をシリカ系スラリーと研磨パッドで選択的に研磨・平坦化する前工程装置です。
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メーカー 4 社CMP後洗浄装置CMP後洗浄装置は、研磨直後のウェハに残るスラリー粒子・研磨屑・金属イオンを除去する専用の洗浄装置です。
メーカー 4 社STI形成CMP装置STI形成CMP装置とは、Shallow Trench Isolation（浅溝素子分離）構造を形成するためのCMP装置です。
メーカー 3 社スラリー供給・回収装置スラリー供給・回収装置は、CMPで使う研磨スラリーを希釈・撹拌し、粒子を凝集させずに研磨定盤へ送り、使用後の液を回収・処理する設備です。
メーカー 3 社